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user1243402：
驱动电阻用的是10欧姆的，驱动波形尖峰好大，从网上查，好像是驱动的功率不足，是不是这个原因？
user1243402：
GS端加0.01uf电容和10K电阻后的效果，效果好一点，但是还有明显的抖动，关键是IGBT发热严重。
user1243402：
回复 user1243402:
栅极电阻为22欧姆，因为手册上栅极驱动能力为2A，我加的电压为VCC2-VEE是25V，VE – VEE 是10V，产生的驱动电压为-10V 到 + 15V的电压，所以电阻最小为25V/2A = 12.5欧姆，所以换成了22欧姆，不知道这样计算对不对。
这个图是在IGBT的GS端并了一个0.01uf电容和10电阻，波形好了一点，但是IGBT发热依然严重，达到100度。电流才5A，IGBT的驱动能力为40A。
WEN JAMES：
回复 user1243402:
哪个是输入波形？
哪个是输出波形？
能否上传原理图看看
user1243402：
回复 WEN JAMES:
user1243402：
回复 user1243402:
供电电压有变化，将R5换成0.1uf电容，VE-VEE加10V电压，产生负压用，VCC2-VEE加25V电压，这样就会产生-10V至+15v波形。
上下桥各一个ISO5500,黄色的是下桥的驱动线，蓝色的D端的高电压。
user1243402：
回复 WEN JAMES:
黄色的是驱动波形，蓝色的是D端电压。
用的是半桥逆变。
KW X：
回复 user1243402:
显然是功率部分寄生参数过大，导致反射电压过高。
