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DRV8301-HC-C2-KIT: 关于I-TOTAL与实际母线电流对应关系的疑问

user78960159阅读(83)

Part Number:DRV8301-HC-C2-KIT

以上路径中的原理图中,设计母线电流采集电路如下:

放大电路倍率为30,偏置电压1.65V,电动情况下,母线电流只有正向电流,也就是说母线电流从0A到MAX对应的电压变化为1.65V(母线电流0A运放输出1.65V,母线电流最大时运放输出3.3V)

请问这个电路,运放输出电压值和实际母线电流是什么关系呢?

我可以这样计算吗:

1.65V Heavy division sign 30 = 0.055V

0.055VHeavy division sign0.002ohm = 27.5A

27.5A x 3 = 82.5A,也就是当母线电流是82.5A的时候,放大器输出3.3V(增量1.65V)

当VG1 = 55mV时,运放输出为1.65V+0.55V

当VG1和VG2均为55mV时,运放输出为1.65V + 0.55V + 0.55V 

当VG1、VG2、VG3均为55mV时,运放输出为1.65V+0.55V+0.55V+0.55V

采样电阻时2mohm,如果每相采样电阻都产生55mV的压降,那么每相的电流就是27.5A,母线电流时三相电流和,那是不是就是27.5A x 3呢

Cherry Zhou:

您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助,如有答复将尽快回复您。谢谢!

TMS320F280049: 关于下载CCS10.3.1版本后无法新建工程及打开例程问题

Si chao Xiao阅读(41)

Part Number:TMS320F280049Other Parts Discussed in Thread:C2000WARE

萌新入坑,想通过工程了解一下DSP的内容,下载了CCS10.3.1版本后,也下载了最近的C2000Ware,发现打不开例程,后续想着自己新建工程发现也不可以,麻烦问一下大佬们,这个问题该怎么解决嘞?

图1:新建工程报错

图2:打开例程报错

Yale Li:

您好,您是怎么导入例程的?

TMS320F280049C: TI LaunchPad F28004x MCU

Mr luo阅读(55)

Part Number:TMS320F280049C

F280049C的ePWM3和ePWM4之间为什么不能用下面的方法实现同步移相?

我配置ePWM2相对于ePWM1可以实现同步移相,ePWM3相对于ePWM2也可以实现同步移相,但ePWM4相对于ePWM3则不能实现同步移相,而后面ePWM5相对于ePWM4也可以实现同步移相,ePWM6相对于ePWM5可以实现同步移相,后面没有继续验证了,但ePWM7应该也不能相对于ePWM6实现同步移相。

在参考设计里面有如下这样一张图,但在参考设计文档里面没有关于这个问题的说明。

Yale Li:

您好,这个是TMS320F280049C ePWM模块TB子模块移相同步信号连接图:

sprui33e_TMS320F28004x Real-Time Microcontrollers Technical Reference Manual (Rev. E) Figure 18-7. Time-Base Counter Synchronization Scheme

ePWM4可以相对ePWM1的输入同步信号和输出同步信号进行移相;ePWM7可以相对ePWM4的输出同步信号、ePWM1的输入同步信号和输出同步信号进行移相。

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Mr luo:

谢谢,这个图看着很清楚。

TMS320F28034: TMS320F28034 是否支持在CLA中使用定点fft库进行计算

n n阅读(41)

Part Number:TMS320F28034Other Parts Discussed in Thread: C2000WARE

我想问一下TMS320F28034 是否支持在CLA中使用定点fft库进行计算?

Yale Li:

您好,CLA支持浮点运算,定点应该是没有问题。有关FFT的例程在以下文件夹:C:\ti\c2000\C2000Ware_4_01_00_00\libraries\math\CLAmath\c28\examples

,

n n:

您好,我是在CLAmath库文档看到有256点512点和1024点的FFT函数,如果是更少点的FFT呢,比如64点?该怎么办?

TMS320F2812: initFlash函数修改问题

wcl chunlei阅读(40)

Part Number:TMS320F2812

TI工程师:

您好,如下问题需要请教。

目前有一款老产品,已生产上百套。之前程序运行一直正常,使用芯片为TMS320F2812PGFA,最近采购一批芯片,30套,烧录之前程序后,近一半芯片不能正常运行,排除硬件故障。更改SysCtrl.c文件中InitFlash函数:

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 5;       

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 5;  

改为:

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 15;     

FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 15;      

后正常。

因为通常这种设置是不需要修改的,请问这样更改是什么原因。

Yale Li:

您好,您的芯片在哪里购买的?封装和以前的一样吗?

,

wcl chunlei:

Yale Li:
    您好。
    芯片封装跟以前一样,芯片丝印:TMS   320F2812PGFA   CG-95ACGHW   G4
    采购于北京中发大厦中泰盛业。

,

Yale Li:

TI的唯一代理只有Arrow。

一样的代码,之前运行正常,我觉得不能排除芯片本身的问题。

TMS320F280025: 谢谢 帮推荐 一个此款芯片的仿真器链接

cheng hao阅读(44)

Part Number:TMS320F280025

谢谢 帮推荐 一个此款芯片的仿真器链接,实测能烧录的

Yale Li:

https://www.ti.com.cn/tool/cn/TMDSEMU110-U

https://www.ti.com.cn/tool/cn/TMDSEMU200-U

https://www.ti.com.cn/tool/cn/TMDSEMU560V2STM-U

https://www.ti.com.cn/tool/cn/TMDSEMU560V2STM-UE

F28M36P63C2: 烧写M3部分时,有bootloader和app两部分,但是一部分会被另一部分覆盖

阅读(55)

Part Number:F28M36P63C2Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH

您好,

我基于CCS12烧写F28M36P63C2的工程时,M3程序由两部分组成:一部分是bootloader,在M-N区;另一部分是app,在A-L区。这两部分要分别烧写,在烧写完app程序后,再烧写bootloader程序,app的程序会被擦除,这是为什么?

要注意的是,在烧写程序的时候,我都选择了相应的擦写扇区,如下图所示:

谢谢!

?? ?:

上边的截图有误,应该是如下图所示

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Yale Li:

您好,以前有这样烧录成功过吗?有换芯片试一下吗?

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?? ?:

烧录成功过,但是是随机的,大部分时候烧录不成功,还没有找到规律

没有换芯片,手头没有多余的芯片

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?? ?:

请问是不是还有哪里需要设置?

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Yale Li:

调试设置里面就是这些设置。

您更改下载设置试一下,比如第一个程序的Download Settings选择Erase and Program, Erase Settings选择Entire Flash; 第二个程序Download Settings选择Program Only。

或者使用uniflash试一下。

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?? ?:

您好,尝试了您说的第一种方案,还是有相同的问题,所以准备试一下uniflash

但是之前没有接触过uniflash,有没有相关资料,或者uniflash相比CCS的优势是什么?

谢谢!

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Yale Li:

UNIFLASH是烧录软件,可以更方便的擦除、烧写和查看内存:https://www.ti.com.cn/tool/zh-cn/UNIFLASH

https://software-dl.ti.com/ccs/esd/uniflash/docs/v7_1/uniflash_quick_start_guide.html

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?? ?:

用uniflash烧写是可以的,谢谢~

,

Yale Li:

不客气,问题解决就好

TMS320F280039C: 如何在现有工程中添加CLB工具

qingyuan sun阅读(44)

Part Number:TMS320F280039COther Parts Discussed in Thread:SYSCONFIG, C2000WARE

问题描述:1:我利用TI的CLB空例程实现了一个功能,想要将这个功能移植到我项目工程中,但是我还没有好的方法实现这一想法,所以请求帮助。

自己尝试:我有根据咱们的CLB工具用户指南中的“在现有DriverLib 项目中启用CLB 工具”例子尝试导入,但是导入之后有很多报错。

qingyuan sun:

我有按照这个进行导入,但是会出现报错

[常见问题]如何将 SYSCONFIG 支持(拼音锁和外设初始化)添加到现有的驱动程序库中?- C2000 微控制器论坛 – C2000Tm︎ 微控制器 – TI E2E 支持论坛

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qingyuan sun:

你好,有人吗?希望得到支持,谢谢

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qingyuan sun:

我是按照CLB Tool User's Guide (Rev. A) (ti.com)中的6 Enabling CLB Tool In Existing DriverLib Projects进行配置的,最后还是出现报错,目前我认为是和导入syscfg文件有关。希望得到帮助

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qingyuan sun:

这里是Console中显示的内容

**** Build of configuration Debug for project ES3-10BAI-DSP-2112-DSP28003x_V403 ****

"C:\\ti\\ccs1110\\ccs\\utils\\bin\\gmake" -k -j 8 all -O Building file: "../ES3_xxBAI_28003x_CCS11_1.syscfg"Invoking: SysConfig"C:/ti/ccs1110/ccs/utils/sysconfig_1.11.0/sysconfig_cli.bat" -s "C:/ti/c2000/C2000Ware_4_01_00_00/utilities/clb_tool/clb_syscfg/.metadata/product.json" –script "D:/Project/ES3/Program/ES3-TI2000Software/ES3-10BAI-DSP-2112-DSP28003x_V403/ES3_xxBAI_28003x_CCS11_1.syscfg" -o "syscfg" –compiler ccs Usage: cli [-o <dir>] [-s <file>] [-u <string>] [-b <name>] [-d <name>] [-p <name>] [-r <name>] [–treatWarningsAsErrors] <script> cli –help cli –version example: cli -s meta_data/sdk.json -d MSP432P401R scripts/two_uarts.js example: -s sdk.json -d MSP432P401R -o ./display_cfg sdk/cfgs/display.syscfg Note that the all arguments other than '–help' and '–version' may also be specified via the script with an embedded @cliArgs comment directive. E.g. // @cliArgs -d MSP432P401R If an argument is embedded in a script and explicitly specified via the CLI then precedence is given to the CLI arguments. Additionally, specifying "–board" or "–device" on the CLI will override any "–board" and "–device" arguments specified in the script. subdir_rules.mk:9: recipe for target 'build-1438522961' failedMissing argument: –board or –device must be specifiedgmake: *** [build-1438522961] Error 1gmake: Target 'all' not remade because of errors.

**** Build Finished ***

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Yale Li:

您好,您看一下

中有没有syscfg

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qingyuan sun:

你好,你是指我箭头这个吗?

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qingyuan sun:

我不清楚是不是因为我导入的syscfg文件没有指定芯片型号导致的这个报错,我导入的是一个空白的syscfg文件

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qingyuan sun:

当我对空白的syscfg文件进行编写之后,想要保存或者编译的时候就会弹出这个报错!如果取消保存关闭,编译又会报错告诉我没有选择型号,我的天呐!!!

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qingyuan sun:

你好,有时间的话,帮我看一下这个问题

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qingyuan sun:

你好,希望得到帮助

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Yale Li:

芯片的型号还是要选的。

https://e2echina.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/286510/launchxl-f28379d-syscfg-board-or-device/943347#943347

您按着这个帖子中的答案试一下看可以不可以。

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qingyuan sun:

你好,我按照帖子中的更改之后

然后我编译,

我去这个地址看了,是有这个文件的

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qingyuan sun:

出现这个问题的原因,我找到了,是因为我在复制到pust_build中时,把地5条画圈的地方,中间应该有个空格,我把两句话中的空格弄丢了,报错的。

然后我,编译出现了SVG文件和HTML文件,但是simulation文件不正常,没有VCD文件出现

帮助一下,已经能看到胜利的曙光了!!如何找到VCD文件

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qingyuan sun:

上面找不到VCD文件,我重新clean project和pust_build重新写入编译之后,正常了。

但是有一点我还有疑问,为什么syscfg文件夹中没有board.c文件?我已经对syscfg文件进行编写,并没有board.c文件的产生

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qingyuan sun:

你好,请帮忙指导一下谢谢

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Yale Li:

您看一下第一个Generated Source中有没有board.c。

可以按照下图检查一下是否有生成:

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qingyuan sun:

我用syscfg tool配置的ssyscfg文件,可以看到有board.c文件生成的,但是在项目工程中导入syscfg文件之后,是没有board.c文件生成的。

所以我把syscfg tool中生成的board.c文件手动加入到工程之中了。我不知道这样做是否合法?

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Yale Li:

合法。不过在添加之前我建议您在工程的文件夹下仔细寻找一下有没有该文件

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qingyuan sun:

你好!有仔细查找,我去工程所在的文件夹下搜索的该文件,并没有搜索到,所以我选择了自己手动添加!目前工程编译没有报错了,但是出现一个很费解的问题,就是,我编辑syscfg文件之后,然后编译,SVG文件能够跟随改变,但是VCD仿真文件在波形查看时,发现相应的端口并没有发生改变(同时我测量了硬件的端口输出发现是有正确的波形输出的),

请问你指导是什么导致了VCD文件这样吗?

如图,我设置的仿真时钟是100ns,但是仿真出来的是10ns,

DRV8301-HC-C2-KIT: 关于PWM波设定方式及采样时刻的疑问

user78960159阅读(31)

Part Number:DRV8301-HC-C2-KITOther Parts Discussed in Thread:CONTROLSUITE, DRV8301, INA240

在TI\controlSUITE\development_kits的DRV830x-HC-C2-KIT_v105开发包中,有PM_Sensorless例程。

在该例程中,驱动板使用下桥臂配置3个采样的电阻的方式对相电流进行采样。

在PM_Sensorless工程中,使用DRV8301的2路内置放大器处理U、V两相采样电阻的压降,软件配置的放大器增益为40,

然而,外部检流放大器的放大倍数配置的确实20倍的增益,如下图所示:

算法处理时并没有使用EXT_IA-FB、EXT_IB-FB、EXT_IC-FB这三个信号

问题·1. PM_Sensorless例程中配置的DRV8301内部放大器的增益40,外置放大器的增益配置的增益是20,这点在开发时是不是需要注意一下。如果使用外置放大器进行算法处理,软件的增益也要配置成20倍的倍率吧:

对于PWM波的设定方式,我有一下疑问:

以上是比较工具比较的结果

左侧为f2803xpwm.h\TI\controlSUITE\libs\app_libs\motor_control\drivers\f2803x_v2.1

右侧为f2803xpwm_PM.h\TI\controlSUITE\development_kits\DRV830x-HC-C2-KIT_v105\PM_Sensorless

问题2.如36行所示,为什么在其他配置一样的情况下,AQCTLA的设置是不一样的呢?

问题3.上图为采样时刻,为什么配置会不同呢

左侧为f2803xileg_vdc.h\TI\controlSUITE\libs\app_libs\motor_control\drivers\f2803x_v2.1

右侧为f2803xileg_vdc_PM.h\TI\controlSUITE\development_kits\DRV830x-HC-C2-KIT_v105\PM_Sensorless),

user78960159:

关于问题3,我想了下,大家看看这样理解对不对

上图为CAD_SET + CAU_CLEAR的分析,由于是通过下桥臂的采样电阻进行采样,所以要在下桥臂开关管打开的中间时刻也就是下桥臂PWM波中点时刻进行采样,所以是三角波周期也就是顶点时刻触发采样;

上图为CAU_SET+ CAD_CLEAR的分析,同样是由于通过下桥臂采样电阻采集的电流原因,因此选择了下桥臂开关管打开的中间时刻,也就是三角波计数器为0的时刻进行采样

问题4. 不是到以上理解是否正确

问题5. 如果是在电机三相线缆中串采样电阻采样(如INA240),是不是采样时刻在三角波周期点或者三角波计数器0点时刻采样都可以呢

问题6. 以CAD_SET + CAU_CLEAR为例,随着CPM数值的增加,PWMA的占空比会变大,高电平变宽,这是所谓的POLSEL_ACTIVE_HI_CMP吗

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Cherry Zhou:

您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助,如有答复将尽快回复您。谢谢!

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Cherry Zhou:

您好,

user78960159 说:问题·1. PM_Sensorless例程中配置的DRV8301内部放大器的增益40,外置放大器的增益配置的增益是20,这点在开发时是不是需要注意一下。如果使用外置放大器进行算法处理,软件的增益也要配置成20倍的倍率吧:

是的。

user78960159 说:问题3.上图为采样时刻,为什么配置会不同呢

这给取决于逆变器硬件。 请参阅项目中使用的配置,或根据您使用的硬件来进行更改。

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user78960159:

您好 感谢帮助

对于问题3 您看我后来发的CAD_SET + CAU_CLEAR及CAU_SET+ CAD_CLEAR两种情况的三角波与PWM波分析图的理解是对的吗

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Cherry Zhou:

好的我们向工程师确认下哈。

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