TI中文支持网第二次做样板了，调试好了一个能正常；另外一个板小电流能运行（1A）， 外接电机是4A的，当我把电流设置为4A时，开始运行不到1秒电源24V 2.5A的直接过流保护了，断电测量样板的电源两端电阻为2R了，拆掉芯片换一个正常；小电流继续能运行，电流再次调大，再次烧了！
芯片有过热过流保护，不知是什么原因导致直接烧掉？
请问导致DRV8711的可能性会有哪些情况？
Annie Liu：
请问您在烧录IC时使用的寄存器设置是什么？如有可能，能否提供电路板的layout/schematic？
user5940951：
回复 Annie Liu:
寄存器设置如下：
DrvRegister[Ch][REG_CTRL] = 0x0D10; //ISGAIN = 10 DrvRegister[Ch][REG_TORQUE] = 0x01C3; DrvRegister[Ch][REG_OFF] = 0x000b; DrvRegister[Ch][REG_BLANK] = 0x0031; DrvRegister[Ch][REG_DEVAY] = 0x030b; DrvRegister[Ch][REG_STALL] = 0x0A02; DrvRegister[Ch][REG_DRIVE] = 0x0A58;
另外一个项目也是按这个配置做的外接4.2A的57电机，已正常使用100个左右；
目前也是按之前的来修改重做一个板，焊了两个样品，
一个目前正常，但有时出现PDF(pre-driver)误报错，在检查原点，
另外一个样板就是烧坏了一片DRV8711，小电流正常运行，调大后直接烧掉，连续换两片，外围电路也就几个电容；不芯片是什么原因导致
Annie Liu：
回复 user5940951:
与寄存器设置有关的一个原因是，TOFF始终设置为5µs，而DECMODE始终设置为强制缓慢衰减。电流可能没有足够的时间适当衰减，并且电流不断上升超过4A。根据Risense电阻值的不同，可能会违反ISENSEx引脚的绝对最大电压，并导致IC损坏。
请问您是否可以将TOFF至少增加到15µs并将DECMODE设置为101（自动混合衰减）。然后从1A电流开始，然后逐渐将电流由0.5A一直增加到4A，并拍摄电流截图？
user5940951：
回复 Annie Liu:
DrvRegister[Ch][REG_DEVAY] = 0x030b;
DECMODE应该为混合衰减模式，不是强制缓慢衰减模式吧，
“根据Risense电阻值的不同，可能会违反ISENSEx引脚的绝对最大电压，并导致IC损坏。”这个我不太理解是什么意思，目前我用电阻为0.05欧的功率电阻；
你的说将TOFF调至15uS和自动混合衰减速我试一下，将TOFF调高了运行转速是否不能太高？
user5940951：
回复 user5940951:
Annie Liu：
回复 user5940951:
DECMODE应该为混合衰减模式，不是强制缓慢衰减模式吧
您是正确的，它是混合衰减模式。
将TOFF调高了运行转速是否不能太高？
是的，这样做应该没有问题。
请问您正在使用的FET的RDS（on）是多少？这样我可以计算出触发OCP故障之前可以流经FET的最大电流。
user5940951：
回复 Annie Liu:
VDSID (at VGS=10V) 28ARDS(ON) (at VGS=10V) < 35mΩRDS(ON) (at VGS = 7V) < 42mΩ
user5940951：
回复 user5940951:
重制PCB板回来再制作1片，芯片不烧但是PDF故障还是B通道，电机运行几秒后会自动保护起来，读取STATUS寄存器的值为0x010为BPDF Channel B predriver fault
驱动回路有多打几个过孔，BxLS输出电阻原来为0R改为100R有改善，但偶尔也还会出错！
看论坛上的资料修改DRIVE这个寄存器的参数可改善，请问这个寄存器要如何配置，目前我用的MOS管为AON6850，负载电阻为0.05R，驱动小于5A以下的步进电机
Annie Liu：
回复 user5940951:
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