BQ76930和BQ76940短路保护实验的时候,采取直接将电池的正负直接短路(中间不加空开等保护措施),MOS的驱动波形,关断结束时间是20us(关断期间波形有震荡),但是造成了的MOS烧坏,请问各位大神造成管子烧坏主要原因是什么呢???
TI EE:
选用的 是什么MOS管?
user4061942:
回复 TI EE:
新洁能的NCE01H13
BQ76930和BQ76940短路保护实验的时候,采取直接将电池的正负直接短路(中间不加空开等保护措施),MOS的驱动波形,关断结束时间是20us(关断期间波形有震荡),但是造成了的MOS烧坏,请问各位大神造成管子烧坏主要原因是什么呢???
选用的 是什么MOS管?
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新洁能的NCE01H13
BQ76930: 采集异常,两个BQ76930组成20S配置 出现大量B5低B6高现象,请问可能原因和解决办法
BQ76930: 18串级联,出现电芯电压不平衡
BQ76930: 20S级联方案,高压侧与低压侧有压差
BQ76940: 上电自动出现SCD保护,无法清除,求教