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MOS工作在deep triode区,可以作为压控电阻使用,有没有应用实例,具体MOS管的型号

目前尚处在打样阶段,想用MOS管的deep triode区的特性,

实现一个直流电压控制MOS管阻值的效果。

阻值大概需要 百kOhm甚至MEG Ohm,大概什么类型的MOS可以满足这种特性?

能不能给出具体型号?

 

目前计划先在TINA里,用一个电压源给MOS管的Gate级施加直流电压,

以使Source和Drain极呈现可控电阻特性。

 

目的是,将该MOS管与普通电阻串联,

置于放大器的反馈回路中,达到调节幅频特性的效果。

放大器的输入信号是10kHz的正弦波电流信号。

 

从噪声方面考虑,暂时不打算引入数字电位器作为可控电阻。

或者,如果有其他的电压控制电阻的方案,

可以代替MOS管实现该功能,也请赐教。

不胜感激。

user6105380:

回复 KW X:

感谢回复!

VGS多少都可以,打算采用DAC,所以VGS无所谓的。

分散性指的是??

我担心不同信号频率,MOS表现出来的电阻阻值不同。我的信号在7kHz到10kHz之间会变的。

乘法器指的是? 模拟乘法器吗? 能具体阐述一下吗?

再次感谢!

KW X:

回复 user6105380:

由于你选择的是分立元件,所以;每个元件;不同栅电压下的漏源电阻是不一样的。并且;它们受温度影响的变化也有差异。这就是分散性。

对于电路来讲,你需要的漏源电阻,实际上是栅电压函数。可以理解为RDS=KVg+Ro。K就是管子增益。而实际上,这个K和Ro都是不确定的。

所以,即便是中间变量,你会发现可调阀值和比例增益会随不同管子和温度而变。理论上仅温度就可以达到200%的温漂。

这对调解稳定度有较大影响。

KW X:

回复 user6105380:

如果将栅电压和分压前信号作为输入变量,那么;分压后的输出就是Vo=K*(Vg-Vth)*T*Vin
K为电阻垮导,T为分压比。
从公式就可以看出,输出实际上是这两个乘积关系。所以;如果可能,可以用乘法器计算输出。
乘法器有两种实现方法:
模拟乘法器:本质上是利用库佰对的乘法特性做运算输出。TI有现成乘法器产品,在运放产品目录里,可以选择。
数字法:既然能有AD,实际上可以分别将两个模拟量转成数字量后;用MCU里的乘法器计算就可以获得数字结果了。

user6105380:

回复 KW X:

同一型号的管子,在同一温度下的 K和R0应该是确定的吧?

user6105380:

回复 KW X:

感谢回复。
之前没用过乘法器。根据您的说法,我的理解是,乘法器的两个输入端,一个是可控输入电压(类似于管子方案的VGS),另一个输入端是放大器的Vo。输出端则是放大器的Vin,或者是串接另一个电阻再接到放大器的Vin。模拟乘法器,似乎只有MPY634这一个?

user6105380:

回复 KW X:

栅电压0.1V到5V左右。可变电阻的阻值变化,最大值和最小值相差MEG欧姆级别的,有吗? 应该去哪里找? TINA里面有不少,总不能一个个试吧?

KW X:

回复 user6105380:

2N7000、2N7002都是可以满足你的要求。

同一栅电压下,由于开启门槛差异,RDS差异非常大。

从数据表就可以发现,通常开启电压0.8~1.5V这样的跨度。在1V附近,RDS就会有极大差异。

即便同一只管子,温度从25℃变化到85℃,即便完全打开状态,也会有约50%差异。

所以,考虑到各项参数影响。分立方案的应用技巧和估算要求远高于集成方案。产品分散性也高的多。

KW X:

回复 user6105380:

模拟乘法器有很多厂家生产。大约从几块钱到千把块钱样子。网上有很多这样信息,比如得捷电子(中文版digikey,www.digikey.com.cn)上尝试搜下。

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