TI中文支持网請問一下各位大大， 有關BQ32000 ，我晶振選擇CL:12.5pF ，接地電容沒放，量測起來負性阻抗很小，而且頻率是負偏
請問IC內部是否可以調整gm值，以提高負性，還是內部有內建電容，可藉由暫存器調整頻率及負性
謝謝
Ted Xu：
你好，
外部crystal的频率精度要求是-63ppm到+126ppm，芯片内部没有办法调整GM或者通过通过寄存器调整。
谢谢
fc cheng：
回复 Ted Xu:
嗨! 你好
首先感謝您的回覆，但我仔細看了一下datasheet上面是寫說可以調整耶!?
請參閱附件，另外假設不能透過調整內部電容改變GM大小，現在的狀況是我兩顆接地電容都沒有上件
負性阻抗不足ESR*3倍，該如何解決呢 謝謝 .
Ted Xu：
回复 fc cheng:
你好，
谢谢你的提醒。
1. 芯片不支持晶体外部端接负载电容，请查看规格书中Fig 22中的参考电路。
2. 外部支持的晶体参数要求如规格书6.3所列，确保你选用的晶体符合要求。
3. 通过寄存器CAL_CFG1来校准输出频偏。
fc cheng：
回复 Ted Xu:
Hi Ted
再次感謝您的回覆，頻偏的部分可透過CAL_CFG1來校準 這OK
但負性阻抗呢?我改變暫存器 例如: 調成+4ppm，這是等於說調站存器的同時也把內部電容調小了? 反之 如調成-4ppm，等同於把內部電容調大了?
如果以上是正確的，那負性阻抗亦會跟著變動
fc cheng：
回复 Ted Xu:
Hi Ted
請問有辦法增加負性阻抗嗎?
如透過寄存器校準頻偏，我on board的output frequency 會改變嗎?
用專門量測表晶32.768khz的儀器量頻率，其頻偏會隨者暫存器的offset 而有變化嗎?
謝謝
