1、硬件平台:TMS320C6678 + MT16KTF1G64HZ-1G6;
2、时钟配置:Core CLK 100MHz,DDR CLK 100MHz;DDR3工作在1333
3、布线说明:TMS320C6678 至SODIMM链接器走线clk、DQS、DQn、DM等全部等长,为2940mil(delay:165ps)
4、DDR3-SODIMM的PCB文件见附件(PC3-SODIMM_V110_RC_F3.brd),Allero格式;
5、例程为论坛下载的Memory_Test.修改的文件mem_test_main.c(DDR的时钟配置);KeyStone_DDR_Init.c的配置参数。
6、我计算的参数见MyData_***.xls文件
6、测试结果见文件result.txt
请问:
测试结果中的出现问题出在哪里?与哪些因素有关?
如果与DDR的参数有关,正确的参数该如何配置/计算?
Allen35065:
先确定颗粒以及你的布线长度参数无问题,然后降频到800试试