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这二天遇到的困扰：C6657L平台，仿真器SEED-XDS560V2调试，同一个gel文件（TI提供evmc6657l.gel）和程序
1）在开发板上，gel文件初始化、加载程序、运行程序都正常；
2）这二天做5块新的PCB（PCB是外包委托设计的）调试，说明下DDR3芯片为三星的K4B4G1646D-BCK0，其它外设只保留串口0，gel文件初始化阶段始终提示“DDR3 memory test… Failed"，此处gel文件中有DDR3相关的控制器配置后，进行DDR3读写校验失败才有此提示，导致加载程序失败；接下来开始参考DDR3芯片资料进行DDR3控制器PLL和操作时序修改尝试之后，得出测试结果：
时钟管脚频率配置为400MHz，操作时序按DDR3-1066修改，5块板子才顺利gel文件初始化、加载程序、运行程序正常；
时钟管脚频率配置为533MHz，操作时序按DDR3-1066修改，只有一块板子基本gel文件初始化、加载程序、运行程序正常，其它四块板子都加载跑飞；
时钟管脚频率配置为533MHz，操作时序按TI提供的DDR3-1333，gel文件初始化阶段始终提示“DDR3 memory test… Failed"。
请各位分析下问题到底出哪里？怎么有效的方法查找定位问题？
附件中有gel文件
Denny%20Yang99373：
http://www.ti.com/lit/an/sprabl2e/sprabl2e.pdf
需要先做LEVELING
软件包下载
http://e2e.ti.com/support/dsp/c6000_multi-core_dsps/f/639/p/321731/1119463
lixiaosheng lixiaosheng：
回复 Denny%20Yang99373:
提供配置参数也不行。关键点是降低时钟频率就正常
L G2：
回复 lixiaosheng lixiaosheng:
你应该根据不同的DDR型号，配置相应的参数
