TI中文支持网2010年的功耗要大些，跑的同样程序。
Nancy Wang：
Silicon 版本不一样。
blank=initial Silicon Revision 1.0
A = Silicon Revision 2.0
两者的区别请参考勘误表。
www.ti.com/…/sprz334h.pdf
WU GAI：
回复 Nancy Wang:
从sprz334h.pdf看，YB20表示Silicon 版本都是2.0吧，这两个年份元件有功耗差别吗
Nancy Wang：
回复 WU GAI:
TMS320C6678ACYPA
标记的部分表明版本号。
版本之间的更新看上面文档的第四章节Silicon Updates，没有看到功耗方面的差别。硬件设计都是完全一样吗？可否定位出是哪部分导致的功耗增加或者跑一些简单的程序再对比一下。
Nancy Wang：
回复 WU GAI:
这个是功耗评估表。
www.ti.com/…/getliterature.tsp
WU GAI：
回复 Nancy Wang:
程序完全一样；硬件原理一样，只是2010年份的PCB板厚增厚些，但整板12V的输入，要多200ma左右
WU GAI：
回复 WU GAI:
CVDD的电源方案是用的LM10011SD+TPS56121DQPT，上分压反馈电阻用的两13K并联，下分压反馈电阻用的两15K并联，在2017年份的板上使用尚可，但2010年份的板上，发热严重，12V输入电流2A多，后调整为上分压反馈电阻13.3K//13.7K=6.7485K，下分压反馈电阻14.7k//17.8k=8.051k,功耗大大降低，能稳定工作，但相对2017年份的板还是多200ma
Nancy Wang：
回复 WU GAI:
所有管脚连接方式都一样？电容种类和数量也是相同的吗？可能是一些微小的差异造成功耗的增加，我们会继续找一下是否存在silicon版本的bug，但这应该不是主要的。
WU GAI：
回复 Nancy Wang:
所有管脚连接方式一样，
两板有电容种类封装不一样，就是钽电容和陶瓷电容差别，但电容容值、数量一样
Nancy Wang：
回复 WU GAI:
咨询了一下相关的工程师，回复您可以参考一下：
There is no known issues as far as I know from power perspective. The customer needs to make sure they are designing for worst case, by using the latest power estimation tools。
These are high performance devices, and there is chip to chip process variation on the overall leakage of the device. This is why we provide the power model so that they can design for worst case process and temperature conditions.
power estimation tools是我上面给您贴出来的链接。
WU GAI：
2017年份的元件，元件上标识型号TMS320C6678ACYP, 读取了JTAGID register (address location: 0262 0018h)，值是 0009E02Fh，Silicon 版本怎么是1.0，按标识不应该是2.0吗
