请问nand flash的基址是怎么算的

手册里说是0200 0000h是怎么来的?

noaming：

你指的是EMIF控制器的基址吗？

用的那个型号的主芯片？

Jo：

回复 noaming:

dm368的，emif基址为什么就是nandflash的基址呢

noaming：

回复 Jo:

没有说emif基址就是nandflash的基址啊。

nandflash的寻址方式是发命令。

你说的“手册里说是0200 0000h”，在哪里描述的？

noaming：

回复 noaming:

NAND是接在Asynchronous EMIF (AEMIF)上的。Asynchronous EMIF (AEMIF)的基址是0200 0000h。

Jo：

回复 noaming:

asynchronous external memory interface user's guide里2.5.6.3，它举了个例子说明了一下ale和cle的地址映射。

那nandflash的基址要怎么确定呢？

NAND_InfoHandle NAND_open(Uint32 baseCSAddr,  Uint8 busWidth)

这个函数里打开nand flash要提供基址

Jo：

回复 noaming:

async emif的地址映射是从0x0200 0000到0x09ff ffff

nand flash的基址是这个区域的起始地址是由什么决定的？是连线还是寄存器配置还是其他什么

或者说nandflash的基址可以是这个地址空间的任一地址？

Jo：

回复 noaming:

是不是对nand flash的操作，是向EM_A[20:0]中写数据，来控制flash的ale和cle，然后向EM_D[15:0]中写数据发送具体的命令和数据。看起来对flash的操作就像给aemif发送地址数据一样。这里的基址是这个作用，让控制数据可以简化成偏移地址，所以基址就是emif的基址

noaming：

回复 Jo:

基址是相对于EMIF来说的，最终转换对NAND的命令和数据的控制上。

Jo：

回复 noaming:

谢谢，我大致理解了