TI中文支持网1、DSP28335正常工作一段时间，某天突然出现烧写内部FLASH过程中，FLASH擦除失败，报错信息为：
Flash Programmer ：Error srasing Flash Memory.
Trouble writing Memory Block at 0x33a000 on page 0 of length 0x289
2、通过RAM运行flash_api code， 执行擦除操作时，返回值是24（0x18），根据手册 返回值24表示 STATUS_FAIL_PRECOMPACT
Erase operation failed because the pre- compaction portion failed.
The pre-compaction is applied to all sectors on the device.
The FLASH_ST structure will return a fail address corresponding to the first sector fails this step
3、通过RAM运行flash_api code，执行写入操作时，能够在FLASH为全F的区域成功写入，并能够读取，写入后由于不能擦除，无法再次写入。
4、尝试了在ONCHIP TOOL 内部使用DEPLTION RECOVERY，指令无效，返回超时，同时在程序内添加depRecovery （）函数，返回23（STATUS_FAIL_COMPACT）
请问这是什么原因造成的？有什么合适的方法能够解决该问题？
谢谢
Yisong Yan：
尝试了解锁区，均为F，使用onchip tool能够解锁成功；
尝试在sector H段写入数据，sectorH段为全F状态，写入成功；但是再想擦除执行失败；
1、DSP28335正常工作一段时间，某天突然出现烧写内部FLASH过程中，FLASH擦除失败，报错信息为：
Flash Programmer ：Error srasing Flash Memory.
Trouble writing Memory Block at 0x33a000 on page 0 of length 0x289
2、通过RAM运行flash_api code， 执行擦除操作时，返回值是24（0x18），根据手册 返回值24表示 STATUS_FAIL_PRECOMPACT
Erase operation failed because the pre- compaction portion failed.
The pre-compaction is applied to all sectors on the device.
The FLASH_ST structure will return a fail address corresponding to the first sector fails this step
3、通过RAM运行flash_api code，执行写入操作时，能够在FLASH为全F的区域成功写入，并能够读取，写入后由于不能擦除，无法再次写入。
4、尝试了在ONCHIP TOOL 内部使用DEPLTION RECOVERY，指令无效，返回超时，同时在程序内添加depRecovery （）函数，返回23（STATUS_FAIL_COMPACT）
请问这是什么原因造成的？有什么合适的方法能够解决该问题？
谢谢
Seven Han：
你好，这边的帖子希望能够帮助到你：http://www.deyisupport.com/question_answer/microcontrollers/c2000/f/56/t/69031.aspx
另外请勿重复发帖，谢谢！
