TI中文支持网
TI专业的中文技术问题搜集分享网站

操作TMS570读写片内flash函数时,写进去和读出来的不一致?

如下图所示,我写进去的数据是全是1(共1024个),但是读出来的数据却全是0,一开始 我怀疑是写进去的没成功,但是通过取址操作是可以看到写入的地址是已经变1了,所以是不是这个官方的读写函数有问题啊?还是说我哪里操作有误?

为了验证是不是写入成功的,通过以下取址操作证明了写入是成功的

所以感到很奇怪啊?

Susan Yang:

您现在使用的是哪款芯片?TMS570片上有EEPROM,可以用于存放数据。TI提供了相关的例程,您打开您项目的halcogen文件,然后右上角点 “Help”,然后再example里的最后一行就可以看到EEPROM的操作例程。

Susan Yang:

gaoyang9992006:

e2echina.ti.com/…/404673
大哥,参考该例子试试。注意这个贴主的小失误地方。

user5792549:

回复 gaoyang9992006:

这个帖子的错误的地方是写入的字节数是16,读的字节数却要读64个,所以说后面的16-63读出来的不对(因为根本就没有写入),我目前写入的字节数就是1024个,读出来的字节数也是1024个,这不对吗

user5792549:

回复 Susan Yang:

目前我用的是TMS570LS1224芯片,目前我不想操作EEPROM,只想操作Bank0的flash,现在程序中我写的地址是0x20000,然后你提到的例程应该是在操作EEPROM,所以可能用不了。

赞(0)
未经允许不得转载:TI中文支持网 » 操作TMS570读写片内flash函数时,写进去和读出来的不一致?
分享到: 更多 (0)