TI中文支持网Part Number:LM5121
电路原理图如下
PCB布局与布线如下
试过很多办法，效率始终处于91%左右
其中，VD1肖特基二极管温度较高，输出120W功率时，温度有近130度，Q1管比VD1温度低一点。
拆除VD1，效率反而变差。
拆除C1 R1补偿元件，效率可以提高0.5%左右
拆除C2 R4补偿元件，效率同样可以获得轻微提高。
开关管DS波形上升沿有轻微振铃，开启和关断时间约50ns左右。
请问是否有好的建议？
Johnsin Tao：
HI
效率可以借助芯片官网webench在线仿真来确认下是否偏低？
如果确认偏低，建议选择Qg, Rdson尽量小的MOS, 同时工作频率不建议太高（一般推荐200~300kHz)
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Peng zhiyu：
HI Johnsin Tao
官网制作的样品以及仿真中，效率都高于95%，但是实际我这里的效率均不如意。
开关频率原先300K 我降低到了170K，效率有提高到93%，但依然不够。
最热的还是并联在同步整流管上的肖特基二极管。Rdson我选用的值是1.95mR，实际测试时MOS管温度都不高，损耗发生在肖特基二极管上，但拆除它也无法有效提高效率。
这种情况是否是同步整流管实际没有工作在同步状态？按照道理，如果同步整流起作用了，是不该会在体二极管与肖特基二极管上形成过大电流的。
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Johnsin Tao：
HI
你提到的肖特基是VD1吗？
确认一下电路的稳定性，如果电路非常稳定，仅仅是效率偏低，就只能从器件上想办法了，MOS是要注意，功率电感也要特别注意，其次还要确认驱动电路。
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Peng zhiyu：
HI Johnsin Tao
感谢你的回复！
我提到的肖特基正是VD1，手册上说并入该管可以提高效率。
电路整体非常稳定，仅仅是效率偏低。
感谢你的解疑答惑！
