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DRV8245-Q1: 关于芯片DRV8245-Q1(封装HTSSOP)如何使用热阻算出结合部温度Tj的疑问

Part Number:DRV8245-Q1

背景:当IC正常动作状态时,外壳温度(Tc)通过实验可测,且功率损耗(Power)已知的情况下算出结合部温度。

据TI提供计算结合部温度的资料,对于使用下面(RθJC(top) /RθJC(bot)/ΨJT)哪一个热阻来计算Tj较为准确产生疑问。

计算公式参考:

  1. Tj=Tc+ RθJC(top)*Power
  2. Tj=Tc+ RθJC(bot)*Power
  3. Tj=Tc+ ΨJT *Power
Cherry Zhou:

您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛,如有答复将尽快回复您,给您带来的不便敬请谅解!

,

Cherry Zhou:

您好,No3 是一种全新的更好的方法。 以下是application note的链接,您可以参考第 8 页:

https://www.ti.com/lit/an/spra953c/spra953c.pdf?ts=1644262263723

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