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LM74610-Q1: 芯片防倒灌失败

Part Number:LM74610-Q1

如下图1-1所示的电路图,我们在VBAT处接电池,电池电压为25.43V,发现VIN处有电压为24.08V,VBAT处的电压倒灌到了输入端。此时N_MOS的栅极G极电压为23.92V,怎么解决VBAT的电压倒灌到输入端VIN这个问题呢?VIN处的24.08V电压带3mA的负载都带不起来。

图1-1 

Johnsin Tao:

HI

   功能上防反灌入,是指输入没有电压时MOS不启动,输入的电压(电池)不会有电流通过MOS流向输入,但是芯片内部电路可能导致此时输入仍然有电压(并非通过MOS而来),具体多少没有测试过,但是有。

   所以你测试有电压,但是不能带载,说明MOS没有导通,电压来自芯片不具备带载能力。

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