TI中文支持网DRV835S使利用charge pump 的方式 , 在上臂MOS 导通时 , 提高MOS Gate 的电压
使得在上臂MOS导通时 , VGS 可以保持大于Vth请问使用charge pump的好处是什麽呢?
为何不跟LM5101A一样用bootstrap
mick huang：
回复 Alvin Zheng:
HiAlvin
请问Charge Pump 有比Bootstrap 更好吗
