DRV835S为何要用charge pump
DRV835S使利用charge pump 的方式 , 在上臂MOS 导通时 , 提高MOS Gate 的电压使得在上臂MOS导通时 , VGS 可以保持大于Vth请问使用charge pump的好处是什麽呢?为何不跟LM5101A一样用b...
DRV835S使利用charge pump 的方式 , 在上臂MOS 导通时 , 提高MOS Gate 的电压使得在上臂MOS导通时 , VGS 可以保持大于Vth请问使用charge pump的好处是什麽呢?为何不跟LM5101A一样用b...
使用LM5101A驱动NMOS,希望输出可调电压,PWM频率500KHz,占空比50%,在RES100后面接2K色环电阻做假负载。 测试负载上的电压在6V到21V之间变化,IRF4104的G极电平有短暂PWM输出,之后缓慢下降,之后再次有短...
电路结构是:MAX668+LM5101A+NMOS。输出105V。如下图。 显现描述:12V上电时,用万用表测量输出时发现:电压可以立即到100V左右,随后非常缓慢的增加到104V左右(104V基本符合预期电压了),然后断电,电压是慢慢下降...
我这样使用LM5101A:PWM控制器+LM5101A+功率MOS,电路跟LM5022手册中推荐的典型电路差不多(PWM控制器不用LM5022),只不过是在PWM和MOS之间再加一个LM5101A,加强一下mos的驱动能力。只使用LM510...