TI中文支持网我现在用的28377D芯片，发现相同的中断程序直接在flash中运行和搬运到ram中运行，运行时间差异不是太大，这里想问下有没有相关文档说明flash和ram中运行时间的具体差异？
Susan Yang：
在F2837xD/37xS系列芯片里，它们使用的Flash是最新的65nm工艺(相比之前的是180nm)，其Flash运算速度和执行效率已经大幅提高，等待周期也可以减少，因此会非常接近RAM上的速度。
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Susan Yang：
E2E上也有相关的讨论，您可以参考一下
e2e.ti.com/…/956095
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user4842559：
我记得以前看过一个文档里面有flash和ram运行时间的对比（比较老的芯片好像），对于28377D系列有没有这项具体说明的文档
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user4842559：
其实是差在flash的waitstate上面，这个对于28377D 运行频率200M的话。最小只能设置为3么，还能不能更小？
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Susan Yang：
可以的。Flash wait states是根据工艺强制要求的，比如F28335运行150MHz主频时，必须至少要5个，而F2837x在150MHz主频时则只需要2个
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user4842559：
是不是对于F2837x系列，这个waitstates的设置，200M的时候最小是3个，150M和120M最小是2个，设置的时候只能更大，不能更小了
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Susan Yang：
是的，您的理解是正确的
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user4842559：
另外是不是waitstates是读flash操作需要等待的时间？
