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28377D程序ram和flash运行时间对比

我现在用的28377D芯片,发现相同的中断程序直接在flash中运行和搬运到ram中运行,运行时间差异不是太大,这里想问下有没有相关文档说明flash和ram中运行时间的具体差异?

Susan Yang:

在F2837xD/37xS系列芯片里,它们使用的Flash是最新的65nm工艺(相比之前的是180nm),其Flash运算速度和执行效率已经大幅提高,等待周期也可以减少,因此会非常接近RAM上的速度。

Susan Yang:

E2E上也有相关的讨论,您可以参考一下

e2e.ti.com/…/956095

user4842559:

回复 Susan Yang:

我记得以前看过一个文档里面有flash和ram运行时间的对比(比较老的芯片好像),对于28377D系列有没有这项具体说明的文档

user4842559:

回复 Susan Yang:

其实是差在flash的waitstate上面,这个对于28377D 运行频率200M的话。最小只能设置为3么,还能不能更小?

Susan Yang:

回复 user4842559:

可以的。Flash wait states是根据工艺强制要求的,比如F28335运行150MHz主频时,必须至少要5个,而F2837x在150MHz主频时则只需要2个

user4842559:

回复 Susan Yang:

是不是对于F2837x系列,这个waitstates的设置,200M的时候最小是3个,150M和120M最小是2个,设置的时候只能更大,不能更小了

Susan Yang:

回复 user4842559:

是的,您的理解是正确的

user4842559:

回复 Susan Yang:

另外是不是waitstates是读flash操作需要等待的时间?

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