TI中文支持网
TI专业的中文技术问题搜集分享网站

TPS43060空载时MOS发热

使用TPS43060升压时,把所有的功率电阻电容都焊上去了,芯片没有发热了。但是空载时,两个mos发热。尤其是下桥mos,下桥mos的g极是有pwm信号的,但是上桥mos的g极信号和其s极是一样的杂波信号。另外,输入设定26v被拉低到4v,输入限定电流也达到限定值。请问这是什么原因?谢谢!!

user4599636:

另外去掉Rsense,输入设定值26就不会被拉低,电流也不会达到最大限定值。

Wu JW:

回复 user4599636:

请提供原理图及波形。

Johnsin Tao:

回复 Wu JW:

Hi是否因为杂波导致同臂道统了。将电路传上来看看? 注意layout,这个对电源电路很重要。

Johnsin Tao:

回复 Wu JW:

Hi是否因为杂波导致同臂道统了。将电路传上来看看? 注意layout,这个对电源电路很重要。

daw y:

如果下桥臂有正常的PWM信号,那么下管应该可以正常工作,而上管的S就是下管的D,怎么会是杂波呢?上传一下下管驱动波形及DS波形来看看。

Rock Su:

请测一下空载时各节点的波形,上传一下吧

Vental Mao:

回复 Rock Su:

原理图和layout以及异常波形都传一下吧,不然没法分析

赞(0)
未经允许不得转载:TI中文支持网 » TPS43060空载时MOS发热
分享到: 更多 (0)