TI中文支持网使用TPS43060，做一各10.8-13.2VDC，12VDC升压到17VDC的负载50W的一个驱动，低边MOS波形正常，高边MOS波形在某些地方有提前关断或者就没打开的情况，电路的输出负载均可以满足，但是高边MOS比较热，且效率不高。原理图如下，PCB图如下；
选用的高边和低边MOS的Qg都在20nC;RT=121KR，fSW=475kHZ;
VCC-GND 7.5V稳定，Vboot-SW 7.45V稳定，纹波都保持在±50mV以内；
低边MOS波形正常；高边MOS在周期内，关断高边有时提前，有时根本就没打开；
低边MOS g_GND的波形为:
高边MOS g-SW波形：
daw y：
Q5上的电压波形什么样子？
user4566737：
回复 daw y:
Q5上 g-GND波形如 图 LMOS
Vental Mao：
回复 user4566737:
可能是环路问题，你先用WEBENCH优化下电路参数吧
Johnsin Tao：
回复 Vental Mao:
Hi
将VCC上10欧母改到2欧母甚至更小，电阻太大限制MOS驱动能力。
Iven Su：
你好，
可以尝试减小栅驱动电阻R26，增加芯片的栅驱动能力。
KW X：
亲；这是正常现象。BOOST状态，高边MOSFET是工作在同步整流状态。如果RDSON太小，就会被识别为电流为“0”而拒绝开启。
作为同步模式，业内有个不成文的规定，就是把负载电流I在同步MOSFET上的典型压降控制在120~250mV之间。偏小；就会导致驱动丢失（识别到电流过低而不再同步工作）。这种模式是预防电流断续后进入逆变模式而使系统能量倒流或损耗增加。
因此；建议带载试试或换小些的MOSFET。
user4566737：
回复 Vental Mao:
环路补偿的参数按TI规格书上来计算的，也跟WeBENCH对比过，差别很小
user4566737：
回复 Johnsin Tao:
R26改成0R,或者2R，不影响VCC-GND,VBOOT-SW的电压,尝试用0R,无多大变化
user4566737：
回复 KW X:
这个波形是满载的时候的波形
user4566737：
回复 Johnsin Tao:
我可不可以这样理解，LMOS正常的占空比，HMOS有关断现象，是由于负载，BOOST输出的能量可能过大，才提早甚至关断一个周期的HMOS?
