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LM3150上电过冲烧毁

各位大神好,我在使用LM3150芯片时出现一个问题,使用的电路是通过TI设计软件生成的如上图,在输出2.5v 8A都是可以达到的,但是出现上电芯片烧坏的情况,使用的是24V稳压电源提供24V直流电,在测试输入端电压是通过示波器捕捉发现有高达43v的过冲电压,直接把Vcc引脚击穿了,下面的是捕捉的过冲电压。

我在将输入电容换成3个10uf瓷片电容并联还是有过冲电压,但在输入端加一个100uf电解电容后过冲消失,我想问的是为什么只用10uf瓷片电容不行必须要加电解电容,我加10uf电解电容过冲都会有极大的好转。是不能单独用瓷片电容作为输入电容吗?还是其他问题导致的,增大缓启动电容貌似效果都不明显。

daw y:

估计点解电容ESR大一些,相当于RC吸收,而陶瓷电容ESR很小,相当于单纯的C,反而容易引起震荡。

Marvellous Liu:

电容选择耐压值一样吗;另外走线存在L,所以组成LC振荡,但是电解电容ESR大一些,阻尼系数大,很快衰减了,或者说本身就升不高。

Johnsin Tao:

回复 Marvellous Liu:

HI选择粗一点的输入导线,并且在导线连接板子的地方增加一个100uF以上的电解电容。对于输入走线尽量宽一点,VCC电容尽量靠近对应脚,输入的电容靠近MOS输入端(也适当大一点)

jeff:

回复 Johnsin Tao:

你好,当时没加电解电容主要是考虑到体积问题,安装位置比较小所以想考虑直接用瓷片电容替代电解电容,但后面测试发现有很高的输入上冲,用瞬态抑制二极管能不能抑制呢,我考虑是用一个smbj30ca来抑制上电过冲,电源线是有点长大概有50cm

KW X:

瓷片电容是受电压变的,受压后;电容值会变小,而电解无此问题。
另外;介质损耗问题,电解会比较好消除高频过冲。

Marvellous Liu:

回复 KW X:

不是吧,电容充电过程就是电介质极化的过程,瓷片电容与电解电容的电介质类型不一致,但是都会有影响的;具体的可以看德拜方程,电解电容不关心这一点是因为电解电容本身容量很大。

KW X:

回复 Marvellous Liu:

哦。。。极化也是调制效应的一种吗?当极化筹振荡频率低于外加频率时;是啥效应?^_^

daw y:

回复 jeff:

加TVS应该是可以抑制过冲的。

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