LM3150: 空载电流过高且效率偏低

TI的各位专家：

  你们好，我使用的是LM3150这个物料，经测试电路工作基本正常，电路是使用webench生成的，效率测试也完成，但存在如下问题：

一：输出空载时，空载电流为30毫安左右(在8~30V的输入范围内)，我的MOS管型号是SiSS78LDN，电感型号是SPM10065VT-3R3M;

二：输出设定为5V，负载10A，输入电压16V时，效率只有91%，感觉偏低，而且在无外置散热条件下，长时间单板运行，有发生热关断故障的现象(通过外加风扇确认了是热关断引起的)。

我的疑问：

             1，静态电流这么高应该不正常吧？

              2，我的效率是否偏低，这种10A级别的大负载是要加散热片吗？

附效率测试图如下：

Johnsin Tao：

HI

    外置MOS, 并且不带powersaving模式的控制芯片LM3150  静态电流是会很大，20~30mA都是可能的。如果要降低，可以适当降低工作频率，例如设置到200~300kHz。 选择Qg尽量小的MOS(一般可以选择十几个nC的MOS, 甚至更小）。

    如果觉得效率偏低，还需要Rdson尽量小。