TI中文支持网Part Number:DRV8350R
您好！
我们使用了一个DRV8350RH驱动芯片，在运行过程中会Nfault报错，芯片发热。
后续排查芯片发现VGLS对GLX引脚阻抗变低或者短路，排查位置如下图所示
请问改位置MOS的DS承受电压（VGLS对GLx耐压值）为多大？
还有，这个上拉MOS过压和过流，哪一个损坏概率大一些？（目前我们设置的驱动拉电流为300mA,载波频率16KHz，驱动两个MOS并联）
以上两个问题麻烦解答一下，谢谢。
周鼎
Eirwen：
已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。
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zhou ding：
您好，感谢您的回复！
这里补充一个问题，DRV835x系列芯片可以通过外置电阻设置驱动电流，请问如果驱动电流超过这个设置值，芯片会限制驱动电流输出吗？还是芯片会直接停机保护？
谢谢
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Daniel：
您好
zhou ding 说：请问改位置MOS的DS承受电压（VGLS对GLx耐压值）为多大？
您截图部分是内部逻辑示意图，关于相关极限您可以参考datasheet中的电气特性表
www.ti.com/…/drv8350r.pdf
zhou ding 说：这个上拉MOS过压和过流，哪一个损坏概率大一些？
不能这样比，因为您指出的部分是内部逻辑示意，单论过流和过压均要进行避免，无法从程度来进行比较。
zhou ding 说：这里补充一个问题，DRV835x系列芯片可以通过外置电阻设置驱动电流，请问如果驱动电流超过这个设置值，芯片会限制驱动电流输出吗？还是芯片会直接停机保护？
关于这个部分datasheet中OCP有相关详细说明请您参考。
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zhou ding：
您好！
1、截图部分确实是内部逻辑示意图，但是我们查看datasheet中没有此处的电气特性说明，只是看到此处电路描述为互补推挽电路。且在电气特性表中，只看到了对于VGLS引脚的电压和GLx引脚的电压说明，但是没有对该处的互补推完电路有详细说明。如果我们查看datasheet有遗漏还麻烦指明位置。
2、既然datasheet中对此处的电路为互补推挽电路，那么就存在MOS或者三级管的电路结构。我们在VGLS和GLx引脚之间增加稳压管后，DRV835x仍然会报错误但是故障能够消除，所以认为是此处的推挽电路开关应力导致。
3、OCP部分已查到，但图中
对于seven code setting的讲述没有很准确，是指降低电流的含义吗？
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Daniel：
您好
zhou ding 说：1、截图部分确实是内部逻辑示意图，但是我们查看datasheet中没有此处的电气特性说明，只是看到此处电路描述为互补推挽电路。且在电气特性表中，只看到了对于VGLS引脚的电压和GLx引脚的电压说明，但是没有对该处的互补推完电路有详细说明。如果我们查看datasheet有遗漏还麻烦指明位置。
请您参考上述图片。
zhou ding 说：、OCP部分已查到，但图中
8.6 Register Maps
请您参考datasheet此章节有相关代码说明，请您参考。
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zhou ding：
感谢您的回复！
1、规格书中给出的VGLS电压为最大18V，是对GND的电压还是对GLx的电压？
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Daniel：
您好
对GND
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zhou ding：
感谢您的回复！
就如本问题最开始提到的，我们希望能够知道VGLS对GLx的电压，目前我们排查此处的推挽MOS的寄生二极管异常了。
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Daniel：
您好
如之前给您分享的电气极限表，分别由这两个管脚对地的极限值，您可以参考一下。
