TI中文支持网在使用rm48系列处理器做升级时，需要用到flash api进行擦除读写等操作。
升级的整体流程是：程序启动时直接运行app，有通讯命令来时，跳转到boot程序中，将flash进行擦除，写入新的代码。
boot程序是单独的工程，将编译后的二进制代码以数组的形式放在app中，固定一些函数的地址，通过函数指针的方式从app中调用boot的函数，实现flash擦除读写等功能。
若将boot中flash的操作放在ram中执行，则代码编译时在ram中运行的部分在app中的二进制代码调用运行不正常，所以flash的操作没有在ram中，即将boot放在bank1中，将app放在bank0中，这样boot中的flash就可以对bank0中地址进行操作，具体地址分配如下：
bootloader的cmd文件：
MEMORY{ VECTORS (X) : origin=0x00180000 length=0x00000020 FLASH0 (RX) : origin=0x00180020 length=0x000fffff
SRAM (RW) : origin=0x08002000 length=0x0002D000 STACK (RW) : origin=0x08000000 length=0x00002000}SECTIONS{ .intvecs : {} > VECTORS .text > FLASH0 .const> FLASH0 .cinit > FLASH0 .pinit > FLASH0 .data > SRAM .bss > SRAM}MEMORY{ VECTORS (X) : origin=0x00000000 length=0x00000020 FLASH1 (RX) : origin=0x00000020 length=0x0017ffe0 STACKS (RW) : origin=0x08000000 length=0x00001500 RAM (RW) : origin=0x08001500 length=0x0003EB00}/*----------------------------------------------------------------------------*//* Section Configuration */SECTIONS{ .intvecs : {} > VECTORS .text : {} > FLASH1 .const : {} > FLASH1 .cinit : {} > FLASH1 .pinit : {} > FLASH1 .bss : {} > RAM .data : {} > RAM .sysmem : {} > RAM}但是调试的过程中发现，单独运行boot程序在bank1中，对指定的bank0地址进行flash的擦除读写操作全部正常，连续运行多次结果都正确。
但是通过前面介绍的方式，从app中通过函数指针的方式调用boot中的函数时，会出现连续调用几次就报错的情况，直接产生flash ecc错误，nerror指示灯点亮，不可恢复。
请大家帮忙看看，问题出在哪里？有什么解决方案，谢谢！
Annie Liu：
感谢您对TI产品的关注！为更加有效地解决您的问题，我们建议您将问题发布在E2E英文技术论坛上https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/hercules/f/312，将由资深的工程师为您提供帮助。我们的E2E英文社区有TI专家进行回复，并得到全球各地工程师的支持，分享他们的知识和经验。
