TI中文支持网请教：MOSFET的Rds_on导通电阻，怎么测出来？谢谢！
answer：
您好，如果是内部集成mosfet的DCDC，一般在datasheet上可以直接查到，如果是单独的mosfet，可以查看mosfet的手册查到
daw y：
给MOS管栅极施加额定的驱动电压，利用恒流源或别的方式，让MOS管流过固定电流，测量MOS管DS之间的压降，处以流过的电流即可。
KW X：
亲；有示波器啊！拉出来跑一下！低压MOSFET是可以用示波器准确测出VDSON的。电流电压一除；就是RDSON咧。。。
Vental Mao：
因为MOS是工作在线性区，所以阻值大小由W/L基本可以决定
数据手册里面也会有标注，或者你就实际测量管子的压降以及电感电流值，即可得出电阻
Johnsin Tao：
回复 Vental Mao:
Hi 一般MOS的datasheet里应该是有测量方式的，或者在Rdson上串联一个电阻，当Vg>Vth时，通过电阻上电流，和MOS的Vds都是很容易测量得到的。
user3493328：
停了上述朋友的圣言，了然。
Frank Xiao：
你好，
为什么需要测MOSFET Rds_on,一般datasheet上都会列出来，搭建电路，加GS电压使能，加DS电压测试即可，谢谢。
ce lan：
回复 Frank Xiao:
因为你自己就是出规格书的，这个Rds_on就是要自己测出来。MOS管刚流片出来，自己测出数据来，再做DATASHEET。
VDS/IDS，理论是对的！
但是！ 随着时间，MOS管温升，Rds_on增大。
你是怎么让MOS管一直保持在25度来测Rds_on。
因为，通电1分钟，通电2分钟，通电3分钟。不同的散热，
Rds_on都是不一样的，随通电时间增长Rds_on变大。
没有散热时，Rds_on会更大。
Rds_on和通电时间，散热都有关系，
你是怎么保证一处在25度，会发热啊，发热后Rds_on就会变大啊。
Vental Mao：
回复 ce lan:
你说的对，Rds-on会随着温度变化而变化，在手册里面是25度的典型值
我们在数据手册里面也有Rds-on和结温的关系曲线，如果你想看具体哪个条件下的阻值，就需要自己实际测量一下，下图是TPS563201的电阻和温度曲线
daw y：
回复 ce lan:
会发热，难道就不能控制散热让他保证再一个固定的温度吗啊？
