TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:BQ40Z80
在使用bq40z80进行MOSFET开关策略时，有以下疑问：
1、bq40z80想要单独控制充/放电的MOSFET，是否只能先通过关闭[FET_EN]，然后再下发"CHG_FET_TOGGLE"或者"DSG_FET_TOGGLE"才能单独控制控制充/放电MOSFET？
2、这种控制方式是否可靠？
谢谢！
Star Xu：
您好，手动控制CHG /DSG FET可以通过ManufacturerAccess()下对应的指令可以做到。详细请参考TRM 107页
理论上是可靠的，建议您手动验证一下。
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fullymax_0807：
您好，这个我验证了一下，要使这种操作生效，需要将[FET_EN]位置0，请问清除[FET_EN]会带来什么影响？会不会影响到bq40z80的保护策略？
谢谢！
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Star Xu：
您好，ManufacturingStatus（）[FET_EN] = 0，表示FW FET控制未激活，处于手动控制状态。
FW FET控制未激活芯片无法进入正常的充放电保护状态。
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fullymax_0807：
您好，我将[FET_EN] = 0，且将[DSG] = 1放电管打开后，模拟了过放和过温的保护，发现bq40z80在[FET_EN] = 0时还是能进行自动保护的，而且当异常恢复后其也能解除保护功能，这样看的话貌似FW FET控制未激活时芯片也可以进入正常的充放电保护状态啊。
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Star Xu：
您好，bq40z80在[FET_EN] = 0时还是能进行自动保护，请参考下面链接
e2e.ti.com/…/866211
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user4745244：
手动控制是啥意思
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fullymax_0807：
就是如果想单独控制bq40z80的充放电MOS，就需将[FET_EN]=0，然后发指令单独控制充放电MOS，否则如果[FET_EN]=1，只能统一开启或关闭充放电MOS。这是我的理解。
