TI中文支持网
TI专业的中文技术问题搜集分享网站

TMS320F2812外部接口XINTF总线时序在运行过程出现异常变化

        硬件上2812外接一SRAM,通过2812外部接口XINTF总线去访问SRAM,发现XINTF总线时序在运行的过程中会变化。开始以为是由于程序太大,导致改写了

XINTF配置寄存器,但后来写了个简单的测试程序,异常现象依然会出现,且通过仿真器检查XINTF配置寄存器里的值都是所初始化的值,没有变化。

        不管是下载到RAM中调试还是下载到2812内部FLASH中跑程序,均会出现上述现象。

具体情况如下:

1、主程序:

        主程序主要功能:对外部SRAM地址0x01写入0x8F80,然后循环读取对比,错误时给个亮灯信号,并打印出读出数据和循环次数,且程序while(1)停止。

2、XINTF配置函数:选择了ZONE6区域

3、  RAM读写函数

4CMD文件

5、Lib选择rts2800_ml.lib

6、仿真结果

       循环到66次时,出错了。

7、Xintf时序

       绿色为nXZCS6AND7信号,粉色为nXRD信号。示波器截图中可看出,正常状态时,XINTF外部接口读时序nXRD信号有效时间为1.2us,

在运行到第66次时,却变成120ns左右,从而导致我读取数据失败。此时通过仿真器检查XINTF配置寄存器值都是我初始化值,但是nXRD有效时间

却变短了,为什么会造成这原因?!


        希望TI技术支持能看看我这是TMS320F2812固有的问题,还是我软件初始化或配置没设置好的原因,谢谢。

bifeng huang:

没人懂吗:(

        硬件上2812外接一SRAM,通过2812外部接口XINTF总线去访问SRAM,发现XINTF总线时序在运行的过程中会变化。开始以为是由于程序太大,导致改写了

XINTF配置寄存器,但后来写了个简单的测试程序,异常现象依然会出现,且通过仿真器检查XINTF配置寄存器里的值都是所初始化的值,没有变化。

        不管是下载到RAM中调试还是下载到2812内部FLASH中跑程序,均会出现上述现象。

具体情况如下:

1、主程序:

        主程序主要功能:对外部SRAM地址0x01写入0x8F80,然后循环读取对比,错误时给个亮灯信号,并打印出读出数据和循环次数,且程序while(1)停止。

2、XINTF配置函数:选择了ZONE6区域

3、  RAM读写函数

4CMD文件

5、Lib选择rts2800_ml.lib

6、仿真结果

       循环到66次时,出错了。

7、Xintf时序

       绿色为nXZCS6AND7信号,粉色为nXRD信号。示波器截图中可看出,正常状态时,XINTF外部接口读时序nXRD信号有效时间为1.2us,

在运行到第66次时,却变成120ns左右,从而导致我读取数据失败。此时通过仿真器检查XINTF配置寄存器值都是我初始化值,但是nXRD有效时间

却变短了,为什么会造成这原因?!


        希望TI技术支持能看看我这是TMS320F2812固有的问题,还是我软件初始化或配置没设置好的原因,谢谢。

bifeng huang:

我软件用的是CCS3.3

        硬件上2812外接一SRAM,通过2812外部接口XINTF总线去访问SRAM,发现XINTF总线时序在运行的过程中会变化。开始以为是由于程序太大,导致改写了

XINTF配置寄存器,但后来写了个简单的测试程序,异常现象依然会出现,且通过仿真器检查XINTF配置寄存器里的值都是所初始化的值,没有变化。

        不管是下载到RAM中调试还是下载到2812内部FLASH中跑程序,均会出现上述现象。

具体情况如下:

1、主程序:

        主程序主要功能:对外部SRAM地址0x01写入0x8F80,然后循环读取对比,错误时给个亮灯信号,并打印出读出数据和循环次数,且程序while(1)停止。

2、XINTF配置函数:选择了ZONE6区域

3、  RAM读写函数

4CMD文件

5、Lib选择rts2800_ml.lib

6、仿真结果

       循环到66次时,出错了。

7、Xintf时序

       绿色为nXZCS6AND7信号,粉色为nXRD信号。示波器截图中可看出,正常状态时,XINTF外部接口读时序nXRD信号有效时间为1.2us,

在运行到第66次时,却变成120ns左右,从而导致我读取数据失败。此时通过仿真器检查XINTF配置寄存器值都是我初始化值,但是nXRD有效时间

却变短了,为什么会造成这原因?!


        希望TI技术支持能看看我这是TMS320F2812固有的问题,还是我软件初始化或配置没设置好的原因,谢谢。

Victor Zheng:

回复 bifeng huang:

您好

怀疑你的现象和SPRZ193N的14页描述的有点像。请您参考SPRZ193N的14页。

        硬件上2812外接一SRAM,通过2812外部接口XINTF总线去访问SRAM,发现XINTF总线时序在运行的过程中会变化。开始以为是由于程序太大,导致改写了

XINTF配置寄存器,但后来写了个简单的测试程序,异常现象依然会出现,且通过仿真器检查XINTF配置寄存器里的值都是所初始化的值,没有变化。

        不管是下载到RAM中调试还是下载到2812内部FLASH中跑程序,均会出现上述现象。

具体情况如下:

1、主程序:

        主程序主要功能:对外部SRAM地址0x01写入0x8F80,然后循环读取对比,错误时给个亮灯信号,并打印出读出数据和循环次数,且程序while(1)停止。

2、XINTF配置函数:选择了ZONE6区域

3、  RAM读写函数

4CMD文件

5、Lib选择rts2800_ml.lib

6、仿真结果

       循环到66次时,出错了。

7、Xintf时序

       绿色为nXZCS6AND7信号,粉色为nXRD信号。示波器截图中可看出,正常状态时,XINTF外部接口读时序nXRD信号有效时间为1.2us,

在运行到第66次时,却变成120ns左右,从而导致我读取数据失败。此时通过仿真器检查XINTF配置寄存器值都是我初始化值,但是nXRD有效时间

却变短了,为什么会造成这原因?!


        希望TI技术支持能看看我这是TMS320F2812固有的问题,还是我软件初始化或配置没设置好的原因,谢谢。

bifeng huang:

回复 Victor Zheng:

按手册说的,改成synchronous模式后,异常现象依然存在…

        硬件上2812外接一SRAM,通过2812外部接口XINTF总线去访问SRAM,发现XINTF总线时序在运行的过程中会变化。开始以为是由于程序太大,导致改写了

XINTF配置寄存器,但后来写了个简单的测试程序,异常现象依然会出现,且通过仿真器检查XINTF配置寄存器里的值都是所初始化的值,没有变化。

        不管是下载到RAM中调试还是下载到2812内部FLASH中跑程序,均会出现上述现象。

具体情况如下:

1、主程序:

        主程序主要功能:对外部SRAM地址0x01写入0x8F80,然后循环读取对比,错误时给个亮灯信号,并打印出读出数据和循环次数,且程序while(1)停止。

2、XINTF配置函数:选择了ZONE6区域

3、  RAM读写函数

4CMD文件

5、Lib选择rts2800_ml.lib

6、仿真结果

       循环到66次时,出错了。

7、Xintf时序

       绿色为nXZCS6AND7信号,粉色为nXRD信号。示波器截图中可看出,正常状态时,XINTF外部接口读时序nXRD信号有效时间为1.2us,

在运行到第66次时,却变成120ns左右,从而导致我读取数据失败。此时通过仿真器检查XINTF配置寄存器值都是我初始化值,但是nXRD有效时间

却变短了,为什么会造成这原因?!


        希望TI技术支持能看看我这是TMS320F2812固有的问题,还是我软件初始化或配置没设置好的原因,谢谢。

mangui zhang:

使用同一地址一直进行读或写看看时序有没有这种情况出现

还有你的外扩除了RAM还有其他的吗

        硬件上2812外接一SRAM,通过2812外部接口XINTF总线去访问SRAM,发现XINTF总线时序在运行的过程中会变化。开始以为是由于程序太大,导致改写了

XINTF配置寄存器,但后来写了个简单的测试程序,异常现象依然会出现,且通过仿真器检查XINTF配置寄存器里的值都是所初始化的值,没有变化。

        不管是下载到RAM中调试还是下载到2812内部FLASH中跑程序,均会出现上述现象。

具体情况如下:

1、主程序:

        主程序主要功能:对外部SRAM地址0x01写入0x8F80,然后循环读取对比,错误时给个亮灯信号,并打印出读出数据和循环次数,且程序while(1)停止。

2、XINTF配置函数:选择了ZONE6区域

3、  RAM读写函数

4CMD文件

5、Lib选择rts2800_ml.lib

6、仿真结果

       循环到66次时,出错了。

7、Xintf时序

       绿色为nXZCS6AND7信号,粉色为nXRD信号。示波器截图中可看出,正常状态时,XINTF外部接口读时序nXRD信号有效时间为1.2us,

在运行到第66次时,却变成120ns左右,从而导致我读取数据失败。此时通过仿真器检查XINTF配置寄存器值都是我初始化值,但是nXRD有效时间

却变短了,为什么会造成这原因?!


        希望TI技术支持能看看我这是TMS320F2812固有的问题,还是我软件初始化或配置没设置好的原因,谢谢。

bifeng huang:

回复 mangui zhang:

现在就是对同一地址进行读写

        硬件上2812外接一SRAM,通过2812外部接口XINTF总线去访问SRAM,发现XINTF总线时序在运行的过程中会变化。开始以为是由于程序太大,导致改写了

XINTF配置寄存器,但后来写了个简单的测试程序,异常现象依然会出现,且通过仿真器检查XINTF配置寄存器里的值都是所初始化的值,没有变化。

        不管是下载到RAM中调试还是下载到2812内部FLASH中跑程序,均会出现上述现象。

具体情况如下:

1、主程序:

        主程序主要功能:对外部SRAM地址0x01写入0x8F80,然后循环读取对比,错误时给个亮灯信号,并打印出读出数据和循环次数,且程序while(1)停止。

2、XINTF配置函数:选择了ZONE6区域

3、  RAM读写函数

4CMD文件

5、Lib选择rts2800_ml.lib

6、仿真结果

       循环到66次时,出错了。

7、Xintf时序

       绿色为nXZCS6AND7信号,粉色为nXRD信号。示波器截图中可看出,正常状态时,XINTF外部接口读时序nXRD信号有效时间为1.2us,

在运行到第66次时,却变成120ns左右,从而导致我读取数据失败。此时通过仿真器检查XINTF配置寄存器值都是我初始化值,但是nXRD有效时间

却变短了,为什么会造成这原因?!


        希望TI技术支持能看看我这是TMS320F2812固有的问题,还是我软件初始化或配置没设置好的原因,谢谢。

bifeng huang:

没有大神来解答下这问题了吗?

赞(0)
未经允许不得转载:TI中文支持网 » TMS320F2812外部接口XINTF总线时序在运行过程出现异常变化
分享到: 更多 (0)

© 2025 TI中文支持网   网站地图 鲁ICP备2022002796号-1