TI中文支持网我使用我使用LM3409HV芯片很容易发热，工作不一会就会非常烫，使芯片不能正常工作，甚至经常将IC烧糊，有没有遇到同样问题的朋友，如何才能解决这个问题呀，
Trevor：
能否上传下原理图？具体是什么应用？请提供输入电压，输出电压，电流等信息，最好有一些测试的波形。
yiwen liu：
回复 Trevor:
输入电压62V，电流接近600mA，输出30V,1A，利用LM3409作为恒流源给24节镍氢电池充电，下面为原理图，6脚波形为100kHz左右的矩形波。波形很规整，
上下沿都很直，G4的2脚，也就是输出波形也很规整，
Scott Sun：
如果您用的是贴片封装，可否确认下芯片下的散热PAD有无焊好，另外在PCB上是否留有足够的散热面积。
Scott Sun：
回复 Scott Sun:
顺便提一下，您图中的电池极性反了。
Johnsin Tao：
回复 Scott Sun:
Hi
如果你采用的是eMSOP-10 Package封装，并且不用case散热(即热阻是50 °C/W), 芯片powerpad充分与PCB GND焊接，并扩展此GND 面积至少2平方英寸，芯片的温度大约是75℃，如果采用的是DIP-14 Package(热阻是87°C/W)，因为没有散热的powerpad, 芯片的温度将大约是100℃。建议你采用Junction to Case的方式散热。
Johnsin Tao：
回复 Johnsin Tao:
Hi:
按照你的参数，扣掉D17, 效率也只有82%，请问能否告知你的MOS名称(电路图中名称的查不到)，如果你采用eMSOP-10 封装，layout没有问题，DIP-14 封装，温度比上述高的还要高，就需要确认一下你的MOS, 因为芯片的主要功耗消耗在驱动MOS上，另外,适当的降低频率也可以达到降低温度的效果(稍微增加Roff阻值，电感就要稍微选大一点的，例如330uH,390uH)
yiwen liu：
回复 Johnsin Tao:
您好，我的MOS名称确实写错了，应该是IRF9540N，封装用的是eMSOP-10的，因为听人说DIP14的不好买，其实我更希望用DIP14的。频率我感觉已经很低了，现在只有100KHz左右。我也发现了，效率是不怎么高，如何才能提高一点呀，Junction to Case的方式散热如何实现呀，这方面没有接触，谢谢您了
Johnsin Tao：
回复 yiwen liu:
Hi
您的MOS Rdson 117mohm太高了，会严重的影响效率，或许您可以选择SUM110P08-11L或者类似规格的MOS, 他们的Rdson大约12mhom(MOS功耗减小接近10倍).
Johnsin Tao：
回复 Johnsin Tao:
Hi
注意一下，电感也要选择ESR较小的电感，这个也很影响效率，D17的Vf也要尽量选小一点的。
Scott Sun：
回复 yiwen liu:
多问一句，可以确定您手头的是HV版本的吗？
因为从电路看并没有太大问题，100kHz下驱动100nC的Qg也不至于造成过大温升。
可以的话可否测一下VIN和VCC之间的电压？
