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Ⅱ类产品没有PE地,共模干扰如何的路径是怎样?如何减少其EMI干扰?

 一般来说,Ⅰ类产品有PE地,载流体噪声会通过杂散电容耦合到PE地,形成共模噪声干扰;
   Ⅱ类产品没有PE底,其共模噪声的传播路径是怎样的?
2 Ⅰ类产品有PE地,EMI整改时,可以再V-与PE地之间串接电阻或电容,可以对共模噪声干扰起到很好的减少作用,有利于EMI辐射;
  但是Ⅱ类产品没有这个PE地,EMI整改现在在30-50MHZ很难整下去了,MOS的驱动电阻,吸收电容参数都加到很大,但还是不行,变压器不同的绕法,也不能有效解决这个频段的辐射,该如何处理?

user1914288:

30-50MHz超标,在变压器加屏蔽层看看有没有改善。

Johnsin Tao:

回复 user1914288:

Hi那一款芯片? 将电路图传上来看一下。

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