在16位异步SRAM正常模式时,观测CE脚、WE脚、OE脚,主频200M,1/1分频,一个clk周期应该为5ns,配置出来三个脚都有不同程度的延时,而且波形很糟糕,30ns的WE和OE低电平时间实际为50ns和60ns,尤其是WE管脚,在低电平阶段有一个高电平尖峰,把周期放慢10倍后波形正常了,但是延时和WE高电平尖峰依然存在,我用的是V190control suite,请问在配置EMIF时有什么错误会造成这种现象么?谢谢~
Linda:
您好!
请问是F28377D的评估板还是自己做的板?
另外请问是否有尝试过v200的相关程序?
在16位异步SRAM正常模式时,观测CE脚、WE脚、OE脚,主频200M,1/1分频,一个clk周期应该为5ns,配置出来三个脚都有不同程度的延时,而且波形很糟糕,30ns的WE和OE低电平时间实际为50ns和60ns,尤其是WE管脚,在低电平阶段有一个高电平尖峰,把周期放慢10倍后波形正常了,但是延时和WE高电平尖峰依然存在,我用的是V190control suite,请问在配置EMIF时有什么错误会造成这种现象么?谢谢~
mangui zhang:
首先你的功能是否完成 是功能有问题 然后看波形很不好吗
如果外扩存储的话 一般没问题 最有可能是你的示波器频带原因吧
如果是外扩fpga等 这种情况最有可能是fpga端没有设置高阻的原因
在16位异步SRAM正常模式时,观测CE脚、WE脚、OE脚,主频200M,1/1分频,一个clk周期应该为5ns,配置出来三个脚都有不同程度的延时,而且波形很糟糕,30ns的WE和OE低电平时间实际为50ns和60ns,尤其是WE管脚,在低电平阶段有一个高电平尖峰,把周期放慢10倍后波形正常了,但是延时和WE高电平尖峰依然存在,我用的是V190control suite,请问在配置EMIF时有什么错误会造成这种现象么?谢谢~
ke xu4:
回复 Linda:
您好我用的是V190的例程,自己做的板子,WE管脚有引到外扩CPLD里的储存器。
TI中文支持网![TMS320F28379D: 导入例程出现故障Description Resource Path Location Type gmake: *** [gridconnectedinvlclfltr.obj] Error 1 gridConnectedInverterLCLFltr C/C++ Problem-TI中文支持网](https://www.ti2k.com/wp-content/uploads/ti2k/DeyiSupport_C2000_pastedimage1752114958744v1.jpg)


