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TMS320C6678内存走线问题确认

Hi TI工程师:

我们在用TMS320C6678这颗芯片,我们看了SPRABI1C.PDF这份文档里面讲到关于内存走线的要求,有两个问题需要你们确认一下:

1)应用手册里面6.3.1.6节提到“All data strobe pairs must be length-matched with +/-1mils of each other”,请问这是要求差分对的P和N要等长处理还是指DQS的差分对之间需要等长处理?如果是差分对之间需要等长处理,TMDXEVM6678L_EVM_A101-1_BRD.brd这份参考设计里面完全没有达到要求!

2)应用手册里面6.3.1.9节讲到Write Leveling限制,最大值上限倒是没有问题,最小值的下限我看到在时钟非翻转模式下面,地址线需要比数据线至少要长1.805英寸(DDR3-1600),这个约束我核对过TMDXEVM6678L_EVM_A101-1_BRD.brd这个参考设计,也没有完全达到要求。

以上两个问题还请你们帮忙确认,在PCB Layout的时候究竟应该怎样处理?

Your early support is very appreciated!Many thanks!

Regards

Wang Guiqiong(paul@juenengtech.com)

Shine:

1. 这里是指Skew between DQS pairs,在Table 13. Data Lane Numeric Routing Rules表里有说明。

2.以布线文档为准。

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