按照C6747 BOOTLODER文档中的相关介绍,使用AIS BIN文件格式,可以通过配置EMIF CFG/TIM1/TIM2/RFC四个寄存器,正确配置后,即可通过开机引导方式完成SDRAM的初始化工作。
但是现在我已经按照C6747手册及SDRAM芯片手册配置好时序,但是SDRAM访问不成功。求教大侠指点一二啊。
使用的是美光的MT48LC2M32B2 6A3型号SDRAM,最高支持167MHz,目前我们硬件上是通过EMIFB与SDRAM连接,其中EMIFB时钟频率配置为100MHz.

芯片共4个Bank,2K行地址,256列地址,

相关时序如下图:


根据上图中时序的描述和我EMIFB频率为100MHz,我配置寄存器参数如下:
SDRAM SDCFG Reg:
[31–24] [23–16] [15–08] [07–00]
00000000 00000001 10000100 00100000 == 0x00018420
IBANK_POS:0x00, MSDRAM_ENABLE:0x00, BOOT_UNLOCK:0x00, SDREN:0x01, TIMUNLOCK:0x01,NM:0x00, CL:0x02, IBANK:0x02, EBANK:0x00, PAGESIZE:0x00
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SDRAM SDTIM1 Reg:[31–24] [23–16] [15–08] [07–00]00001010 01001001 00100001 01001000 == 0x0A492148
T_RFC:0x05, T_RP:0x01, T_RCD:0x01, T_WR:0x01, T_RAS:0x04, T_RC:0x05, T_RRD:0x01
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SDRAM SDTIM2 Reg:
[31–24] [23–16] [15–08] [07–00]
00111000 00000110 00000000 00000100 == 0x38060004
T_RAS_MAX:0x07, T_XSR:0x06, T_CKE:0x04
//T_RAS_MAX = (tRAS_MAX/ SDRAM refresh rate) – 1) = 120k ns / 15.625us = 7.68 -1 = 7
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SDRAM SDRFC Reg:[31–24] [23–16] [15–08] [07–00]
00000000 00000000 00000110 00011011 == 0x0000061B
LP_MODE:0x00, MCLKSTOP_EN:0x00, SR_PD:0x00, REFRESH_RATE:0x61B
//REFRESH_RATE=EClk*Tref/4096(rows) = 100Mhz*64/4096 = 1562.5 = 1563
AISgen中,ROMID检查后,读取后为D800K005,CPU输入时钟为25MHz,我配置的DSP工作频率为300MHz,SDRAM连接在EMIFB上面,配置频率为100MHz,其它LPSC、PINMUX主要是配置了一下SPI0、SPI1、EMIFA、EMIFB、GIOP5器件的相关引脚及电源打开。
硬件引导方式为SPI0 NorFlash,已经验证Boot引导成功,在线Debug读取PLL、EMIF等器件寄存器,已经按引导方式配置完成。
EMIB寄存器各参数与AISgen中参数一致。现在通过地址直接访问的方式发现SDRAM读写不正确,通过CCS memory browser发现SDRAM地址中数据为零,直接在CCS memory browser中修改SDRAM地址也不成功。
通过将EMIB地址线等等配置成GPIO方式,拉高拉低的方式验证,CPU与SDRAM管脚连接没有问题。

求教各位,是我在AISgen中参数EMIFB寄存器参数配置不正确?还是什么原因导致SDRAM访问不正确的?还有什么办法可以排查问题出在哪里?
谢谢大家的帮忙!!!
yuanzhou yu:
帅哥,你自刷新SDCR,SDCR2 配置了没有,还需要配置行列地址 bit数
Mr.a.mike:
回复 yuanzhou yu:
SDCR和SDCR是什么?上面就四个寄存器需要配,没有其它的。另外说的行地址,至少对于C6747来说是不需要配的,除非我使用的是Mobile sdram,才会通过SDCFG2来配置行地址。列地址的话我在上面SDCFG里有配置项呢,2:0Bit pagesize就是干这个的。256WORD PAGES
yuanzhou yu:
回复 Mr.a.mike:
我用的138,是需要配SDCR,SDCR2,里面的 bank数,page数,行地址数,列地址数都要配。另外 PSR里面也要把DDR打开;不能处于睡眠模式。
Mr.a.mike:
回复 yuanzhou yu:
看了下OMAPL138的文档,与C6747寄存器方便有一点点区别,但是区别不大,寄存器的话,SDTIMR、SDSRETR是用来配置时序的,SDRCR配置刷新,SDCR配置BANK,PAGESIZE等等的。但是里面没有发现有地方需要配置行地址的寄存器BIT位。
Mr.a.mike:
回复 yuanzhou yu:
另外有一点不太明白你说的,为什么DDR也要打开?难道你用的是DDR SDRAM?
yuanzhou yu:
回复 Mr.a.mike:
我说的是 PSR (power sleep register)里面的 ddr需要 关掉睡眠模式。
Mr.a.mike:
回复 yuanzhou yu:
额。我的里面没有DDR,电源管理里没有DDR项,我的EMIFB工作正常。
不过真正的问题今天刚发现,查看原理图的时候,发现CAS,RAS,WE三个信号线连接错了,晕死了快。
下午总算是有数据了。不过时序看起来不太对。每次读写32位数据都需要等待一段时间,大概1s左右这样操作,数据才能正常。还得继续调整时序了。
Mr.a.mike:
回复 yuanzhou yu:
有个问题还需要请教一下啊,芯片手册里写着Refresh count是4k,Row addressing是2K,Refresh period(4096 rows)最大时间是64ms.
看C6747里的话,我的连接方法,寻址空间是32MB(上图标黄的那条),但是我的SDRAM实际范围是8MB,那我要计算Refresh Rate的话应该如何计算?
The value of this field may be calculated using the following equation:REFRESH_RATE = SDRAM clock frequency × SDRAM refresh rateAssuming 64 ms (tREF), 8192 rows (213; 13 address lines), SDRAM refresh rate = 64/8192 = 7.8 μs.Therefore, the following results assuming 133-MHz SDRAM clock frequency.REFRESH_RATE = 133 MHz × 7.8 μs = 1037.4 Therefore, REFRESH_RATE = 1038 = 40Eh是应该按照:REFRESH_RATE = 100MHz * (64ms/4096)= 1562.5 = 1562 = 61B? 还是说因为我的SDRAM只有2K行地址,刷新4K需要64ms,CPU实际上会自动刷新8K行地址的?我的实际刷新率应当至少是1562/2?
yuanzhou yu:
回复 Mr.a.mike:
应该是乘以2,
意思就是 多少个时钟周期过后,sdram自刷新一行,64ms内,保证所有行都能进行一次刷新。
yuanzhou yu:
回复 Mr.a.mike:
另外,行地址位数也应该配的,不配有个默认值,138是9
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