TI中文支持网自制的8168板子，现在到了烧写u-boot的环节，启动方式设置成SD卡启动，插入SD卡串口无输出信息，于是通过CCS烧写U-boot到NAND；
环境：
CCSV5.5；
仿真器XDS560v2；
烧写工具： DVRRDK中的nand-flash-writer.out，CCS编译通过；
板子DDR3已通过BSL代码的测试，并作了SW leveling；
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调试过程：
①导入evm8168.gel文件(DDR3工作于796MHz )
②DVRRDK中编译得到u-boot.noxip.bin
③CCS启动，连接， Load Program ，选择 nand-flash-writer.out。
④ Resume
现在console栏中输出：
Choose your operation
Enter 1 —> To Flash an Image
Enter 2 —> To ERASE the whole NAND
Enter 3 —> To EXIT\n输入1，enter。
Enter image file path
输入了u-boot.noxip.bin 的路径。
offet 输入0；
然后输入选择1，选择BCH 8-bit;
问题出现，程序到这里会输出"Starting NETRA NAND writer ERROR: NAND Initialization failed. NAND flashing failed"
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请问，测试烧写NAND需要在哪里对NAND进行设置更改么？ evm8168.gel中只做了关于DDR3的设置更改， 是否还要做其他更改？ 我的烧写过程是否遗漏了别的设置？
感谢您的回答！
Chris Meng：
Wang Bingjian,
请问你使用的NAND是否是16-bit的，和DM8168 EVM上的nand区别大么？
bingjian wang：
回复 Chris Meng:
Chris Meng 你好，我的NADN是16位的，4G； EVM上的是8位的。
bingjian wang：
回复 bingjian wang:
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