CC2642R 48MHz晶振过驱

我在使用TI的CC2642R时候发生了过激问题，需要协助解决

我们已经完成认证等所有工作，因此不能修改PCB

1. 我们测试的晶振匹配性报告，可以看出负阻（170 Ohm）与DL（340uW）两项不符合晶振规格书参数，因此设计有风险
2. 使用元件规格：CC2642R1FRGZR+ NX2016SA-48M-EXS00A-CS05517
3. 我们是参照TI的demo板设计，元件没有变更，layout上有一点差异（多层板，电源走内层）并且晶振离芯片比较近
4. 我们希望可以帮忙分析并提供建议需要怎么改善CC2642内部参数配置可以使之满足要求
5. 找到一份文档SWRA495G，里面有提到DL的计算公式，可以看出与CL/ESR以及VPP值强相关
   

   DL = 2×ESR(πf(CL+CM)VPP)2

6. 在选定晶振的情况下，ESR固定，因此可调整参数CL/VPP
7. 文档中有说明最大可支持1.6VPP，想了解下是否可以修改这个数值大小，还请提供下文档
8. 还有其他方式可以解决这个问题吗？

Albin Zhang：

Hi,

看来你们已经做了很多功课了，但是很遗憾，ESR， Cload等需求都是必须遵守的。Vpp没有办法调整

一般，p2p的crystal都有不同规格可选，你们不改PCB，换器件也不行吗？

BR. AZ

XC：

回复 Albin Zhang:

谢谢回复，近期对两颗TI推荐晶振进行了更多的测试，（NX2016SA-48M-EXS00A-CS05517）（CX2016DB48000C0FPLC1），均不能解决过激问题。需要你们的帮助
现在有几个疑问：
1. TI进行demo设计的时候是否有测试DL,负阻这些参数？是否可以提供数据给我参考一下
2. 依据文档的说明，在实际板子上使用特殊的FW读取VPP值，NX2016SA-48M-EXS00A-CS05517 -> 465mV，CX2016DB48000C0FPLC1 -> 435mV，依据公式计算，DL=33uW（CL=7pF）和21.8uW（CL=7pF），与实测不符
3. 在不改变PCB设计的情况下，是否还有解决的方法