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CC1310睡眠电流偏高

你好,目前使用自己的板子,在没接外设,DIO口都悬空的情况下,芯片休眠时的功耗在1mA左右,同样的代码在开发板上的功耗是10uA左右。想请教一下板子多出来的功耗有可能是哪些地方导致的。

目前在自己板子测量情况如下:

1. 板子使用芯片型号为CC1310F128 4*4的封装,测试功耗时为最小系统——所有DIO口悬空,天线脚悬空,32K晶振脚悬空,RESET脚接100K电阻上拉;

2. 休眠时调用的Sleep函数,休眠后,24MHz晶振未起振;

3. VDDS电压为3.3v,VDDR由DCDC_SW引脚供电过去,电压为1.7v;

4. 如果断开DCDC_SW脚给VDDR供电,则VDDR电压为1.3v左右,休眠电流上升为2mA左右.

麻烦指点一下,休眠时自己板子多出来的电流可能是哪些地方导致的,谢谢!

Butterfly:

1. 改下封装单跑Pin_Standby例程,功耗看看是不是正常

2. 对比下原理图,DCDC_SW接6.8uH电感和22uF电容VDDR,不能断,低功耗状态下内部DCDC会间歇性充电来维持供电

Viki Shi:

请按照官方文档排查硬件问题:
processors.wiki.ti.com/…/CC26xx_HW_Checklist

xd z:

回复 Butterfly:

Butterfly

1. 改下封装单跑Pin_Standby例程,功耗看看是不是正常

TI Resource Explorer
dev.ti.com
{{ metaservice.metaDescription() }}

——改下封装这个具体不明白是怎样的操作;
不过我这边有用Pin_Standby例程测试过,在CC1310 LaunchPad(7*7的封装)开发板上,休眠功耗是在10uA左右,但是在自己的板上(4*4的封装)也还是有1mA左右;

2. 对比下原理图,DCDC_SW接6.8uH电感和22uF电容VDDR,不能断,低功耗状态下内部DCDC会间歇性充电来维持供电

xd z:

回复 Invoker:

有按照建议尝试,不过还是无效,该配置的原值是0x2,修改为0x3后,在开发板和自己的板子上,休眠功耗都没有变化;

软件配置上是否还有其他建议? 比如休眠时IO口的建议配置(目前DIO都悬空没有进行配置的,测试中配置成输入会增加功耗,配置成标准输出没有影响);

另外,因为同样的代码,在开发板上只有10uA,在自己板子上有1mA,所以还是倾向于从硬件上去检查,只是目前硬件上也相当于是一个裸板了,对比开发板的测试,只有DCDC_SW的引脚输出电压有一点偏差(开发板1.64v,自己板子1.68v),其他也都正常,不知道还可以从哪些方向上进行检查?

谢谢!

Butterfly:

 如上面4X4 的参考设计,L1和C8器件值请保持一致,这很重要

19和11脚上的去耦电容换上也一样

xd z:

回复 xd z:

该题目前已找到问题点:

SET_CCFG_MODE_CONF_SCLK_LF_OPTION该值定义为3后,则CC1310的单板休眠功耗从1mA左右降到了0.1uA-40uA(跳变是因为在充电);

前面这样设置没有起作用的原因在于CCS上在debug项勾选了Keep CCFG的选项,导致 修改的ccfg配置没有真正写入到芯片中;

前面一直怀疑是DCDC电路上的参数导致的(因为跟开发板相比就这点不同了),但实验过程中发现DCDC电路的参数跟休眠功耗相关性不大;

另外剩下的一个疑点就是:为啥SET_CCFG_MODE_CONF_SCLK_LF_OPTION=2时,在开发板上的休眠电流只有10uA,但是在自己的板子上就有1mA

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