TMS570 EMIF 异步读写模式问题

调试TMS570 EMIF 异步读写模式时，发现两次读或两次写之间都会有二十几个clk（clk=90M）的间隔，感觉这个间隔有点长，是否可以优化一下？缩短到几个clk

gaoyang9992006：

两次读写之间应该有其他的操作指令吧，因此有二十几个时钟间隔。

bo xiao2：

能否共享下代码或者交流下，我现在单步读写数据都正常，但是多次写多次读数据会错位不知道为什么，请教下谢谢。

MichaelLee：

回复 bo xiao2:

请看勘误表。有说明和解决方法。芯片级bug 

zhiyong wu：

回复 bo xiao2:

对EMIF信号打拍处理了？

yan zhaopeng：

回复 MichaelLee:

您好，我在使用TMS570LC4357的EMIF异步通信方式读外部设备数据，希望配置成nor flash page mode，但一直未配置成功，是否与您所说的这个芯片级bug有关，我查阅了TMS570LC4357芯片的勘误手册（Silicon Revision B），仅有该项“EMIF generates data abort on register read after time-out error”与异步通信相关，您说的芯片级bug是否是这个？还望不吝赐教，非常感谢。