TI中文支持网大家好(@TI 工程师)
请问，
1. EEprom 的擦写次数。假设擦写次数100万次，只在地址0处，擦写一个字节100万次，地址0被擦写坏了，那么其他地址还可以使用不？EEPROM擦写坏的症状是，可读不可写？可写不可读？
2.Flash的擦写次数。假设擦写次数100万次，只在扇区0处，擦写扇区100万次，扇区0被擦写坏了，那么其他扇区还可以使用不？Flash擦写坏的症状是，可读不可写？可写不可读？
3.TI的MCU（比如TM4C1231D5PM）。
A.MCU Flash擦写次数与专用Flash（比如M95010 )擦写次数相比是不是要少很多？
B.MCU Flash擦写次数规律是不是跟“问题2“相同？
C.MCU EEPROM擦写次数规律是不是跟“问题1“相同？
xyz549040622：
这个问题曾经考虑过，也搜过网上很多人的说法，但我没有试验过，普遍的说法如下：
1.关于擦写100万次，100万次只是官方给的一个保守值，这个不是绝对的。到了规定写入次数并不是说该单元就坏了, 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖
2.擦写奔溃后，单片机可正常运行 ，爆掉的地址位偶尔能写成功，读始终能读，不过可能读出来的是错误数据。也就是说，性能变得不可靠了。
3.MCU Flash擦写次数与专用eeprom的次数普遍要少的。
Seven Han：
数据手册中有TM4C1231D5PM flash和eeprom编程的详细说明，见以下链接：
www.ti.com.cn/…/tm4c1231d5pm.pdf
另外网上关于flash和eeprom擦写次数的讨论如下，您可以参考：
www.amobbs.com/thread-5598752-1-1.html
