DRV110: 激励持续时间（Keep time）过长/差异较大问题

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Taylor：

您好，

已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

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Qiang Gao：

实测KEEP脚电压从0上升到100mV所用时间与线圈激励时间相同，均为170ms。将170ms与145ms样机中的DRV110V芯片交叉互换后，测得激励时间跟随芯片，因此初步判断与芯片本身有关。补充一张波形图，如下：黄色是OUT脚输出波形，绿色是线圈电流波形，蓝色是KEEP脚波形

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Links：

感谢您联系我们。根据对您的示意图的评估，请您考虑以下几点。

1-根据以下标准考虑适当的限流电阻器选择

2-为什么使用C354和C34拉下EN引脚。它应该被拉高或漂浮。

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Qiang Gao：

您好！

1、我们实际使用中EN脚电压最高为5V，因此根据您提供的表格，我们选用了510Ω电阻，将其串联在EN信号中，测试激励持续时间仍然为170ms，与增加510Ω之前相比没有变化；

2、EN脚上预留C34与C35是为了解决个别样机在低温测试时会出现反复激励的问题，在保持510Ω电阻串联时再将这两个电容去掉后测试，激励时间仍没有改善。

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Links：

谢谢你的更新。

根据设备规格，基于ckeep的公式计算的tkeep值显示了典型值，并且可以根据不同的样品而变化。不幸的是，DRV110是一款旧设备，我没有这款设备的测试信息。我命令DRV110EVM为您的测试场景做一个测试台，在美国是长周末，请在下周给我几天时间接收EVM并做测试台。我一做测试就会给你更新。我将保持此线程打开以向您更新。

什么是输入电压、Ipeak、Ihold和Rsense值。

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Qiang Gao：

您好！

我们当前所用的芯片型号为DRV110APWR。

PCBA电源输入额定电压是110V或220V，AC&DC，经过整流后得到VEE，VEE接线圈并经过稳压到10V给DRV110A芯片供电，相关参数如下图

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Links：

谢谢你的信息。

根据提供的信息，IPEAK设置为7.3A，E110V的I保持为0.617。但是，捕获的波形显示在1.5和4A左右。请您确认您的应用程序中的I峰值和I保持值是多少。

此外，请向我提供DRV110的整个原理图，包括输入和输出电路。

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Qiang Gao：

您好！

设置的值没有问题，波形上的电流与设置的值不一样主要有两个原因：

1、输入电压不同，图中波形为E220V型号，额定电压为220VAC/DC，线圈绕组更大，而且实际测试中会按照80%额定电压，因此激励电流更小。

2、第一个波形图中，激励过程中电流波形有一个下凹的点，这是因为线圈放置在了接触器机构中，有对外做功，之后电流再从较低水平上升，使得在激励结束时未达到最大理论值。第二个波形图中，激励过程没有下凹点，是因为是把线圈取出来测试的，是为了测试激励电流的峰值。

经过我们测试，激励与保持电流与理论计算相差不大，满足要求，只是激励持续时间与理论相差较大，且从规格书中为查询到相关的精度范围。

输入与输出部分电路如下，其中线圈上端VEE为整流后的电源电压，VDD为10V。

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Qiang Gao：

如下已提供相关原理图，分析是否有进展？

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Links：

你能解释一下为什么R10（10K）与RSENSE串联添加吗。？

该设备的作用类似于滞后控制器，允许电流在VSENSE<VREF时流动。我对0.06ohm电阻值的担忧是，VSENSE的相应值不会达到30mV，因为当VSENSE为30mV或更大时，您将获得更好的精度。那么，请你也测量一下TP23的电压。