TI中文支持网Part Number:DRV8301
我是用的是STL76DN4LF7AG的NMOS，Rds=6 毫欧， VDS_LVL配置为0.2V， 应该保护的电流应该是33A，但是实际上在电机运行时6A左右就保护了，显示是VDS故障。
请问一下会是什么原因导致的
Taylor：
您好，
已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。
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Taylor：
可以考虑重构VDS检测回路，缩短SHx走线，添加RC滤波等
另外，MOS管参数是否有偏差，特别是高温时Rds会上升，注意一下温度系数。
可以适当参考官方开发板
BOOSTXL-DRV8301
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bi jingkai：
谢谢您的及时反馈，我还想问一下：
1 我看你们给的电路下桥GLx上没有电容，我们的电路是否有问题。因为我测量时发现在HIZ的状态下，不开OFF检测的状态下，上桥SHx有弱上拉的电压，请问是什么问题，跟这个下桥的电容是否有关系。
2 保护的时候一般是在堵转时，但我的占空比给的不高就12V的百分之20，一般报下桥的VDS故障，请问主要原因是什么？
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Taylor：
1.GLx上的电容可能会减缓关断速度，但这可能并不是问题根源。弱上拉应该是MOSFET的体二极管正向导通导致的。
2.可能是MOSFET开通延迟差异导致并联管电流分配不均。
