TI中文支持网Part Number:LM5148-Q1
设计50W，3.5A BUCK 电源,输出电流达到2.2A以上时，芯片HO和LO引脚驱动出现异常，随着输出电流的增加，输出电压开始下降（没有到达限流值），考虑是干扰引起。对BUCK电源进行重新布局设计。
请TI工程师帮忙确认是否可行。3073.DPS5024-015-NISO电路板.pdf
Vivian Gao：
感谢您对TI产品的关注！ 关于你的咨询，我们正在确认你的问题，稍后回复您。
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Vivian Gao：
请分享如下信息
1. Schematic
2. https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC – 请填写表格并回复给我.
3. 你目前测试的波形
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power2025：
LM5148: 主MOSFET关断后出现短时驱动脉冲（非开关周期的下一个脉冲） – 电源管理论坛 – 电源管理 – E2E
设计支持
这个之前就有讨论过，TI工程师分析是布局存在问题。所以我重新进行PCB设计，TI工程师让我重新发的帖子。您先看一下前面这个帖子的信息，有需要我补充的，我再发给您。
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Vivian Gao：
了解，我再看一下您之前的内容
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Vivian Gao：
您的PCB和原理图不匹配，您重新发一下。
对于3.5A的设计，你可以通过使用降压转换器（集成FET的设备）来简化设计。
www.ti.com/…/LM65645
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power2025：
DPS5024-015-NISO原理图.pdf
您好，原路图见附件，请您参考，谢谢！
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Vivian Gao：
至于布局。这是双层板吗？，由于不理想，这将是一个具有很高问题风险的挑战。如果您想继续，请在下面提供反馈。1.很难辨认，你能为我强调HO和SW在HS MOSFET上的布线是不同的吗？
2.建议不要尝试实施这两种方案，因为它会挤占当前的感测反馈组件。建议使用RSENSE，并将RC放在引脚旁边，再次删除L2和L3。 3.将VCC GND直接连接到PGND引脚。4.将电感器靠近HS和LS MOSFET，并保持开关节点较小。5.确保HS和LS MOSFET尽可能靠近放置。鉴于这是一个双层电路板，建议采用以下MOSFET布局。-请注意，我是如何旋转MOSFET并用输入帽封端的，而不是依赖于一个坚固的GND平面，因为我相信你只有两层。如果您有两个以上的层，可以按照所示使用。
