TI中文支持网我们使用的芯片型号为MSP430FR5949IDAR，编程软件为IAR，通过IAR生成的文本文件烧写进入片子的FRAM中。设备运行一个月左右，发现FRAM中应用程序内存区域中代码会有个别字节被篡改，导致程序运行不正常。对于造成代码被更改的可能原因我们尚未有明确的判断，希望原厂能给些建议，谢谢！
Susan Yang：
请问您现在运行的环境是怎样的？噪声大吗？是否有可能是电压不稳或者波动，导致内部被误操作了？
出现问题的芯片概率大约是多少？ 被篡改的位置固定吗，数值呢？
Susan Yang：
回复 JackLiu:
刚烧进去的时候测试正常吗？若是正常说明当时烧进去的时候是对的。
后来随着时间的推移出现数据不对的话，可能是电压，温度，湿度，电离辐射等对芯片产生了干扰。
您现在程序内有针对flash的操作吗？
JackLiu：
回复 Susan Yang:
我们是有写操作的，就是目前出现问题的几个地方比较随机，并不是我们指定的地址，我们写操作的位置是固定的位置，并且与应用程序代码（出现篡改的位置）有一定的间隔和距离。
图中标注的这些位置是我们固化的一个BOOT程序，从地址0x4400到0x63FF我们是不做写操作的。现在发生这样的问题，不知道是不是什么机制的问题，我们没有主动去进行写入操作，而是产生什么被动的写入操作。这中间从运行正常到运行异常期间程序是自己在独立运行的（出厂到供货现场，尚未安装），没有外部噪声干扰的。所以除了意外的写入操作，还有没有什么其他问题会产生这种状况。之前您那有没有遇到类似的情况做参考，因为您那样本量更大。还有一般的Flash写操作是有解锁环节的，咱们铁电的FRAM读写更容易，环节要少，是不是有什么处理这种意外写入的措施。
JackLiu：
回复 JackLiu:
请问有什么方法可以避免代码被修改？
user1664716：
回复 JackLiu:
我现在也遇到了类似内存代码被篡改的问题，请问最后如何解决的？
