TI中文支持网Part Number:TMS570LC4357
当前我在片内Flash的Bank 0和Bank 1放两个软件版本(两个软件映像, software image)，且这两个软件版本共同使用一个异常向量表(从0x0开始)。
两个软件版本彼此互相升级(直接擦除并写入)，在升级过程中不会关中断。
在Bank 0的软件版本升级在Bank 1中的软件版本不会有问题，但在Bank 1中的软件版本升级在Bank 0中的软件版本时无法使用中断，因为无法在擦写Bank 0的同时执行异常向量表的代码
当前我们想使用片内flash的pom机制，将异常向量表保存在sram中，并替换flash的异常向量表；具体的做法就是在系统开启中断之前，将Flash中的异常向量表拷贝到SRAM中，然后配置POM，使得访问Flash的内容和SRAM中的一致。
但我们这么做之后并没有取得想要的结果，在执行Bank 0相关的擦除/写入时，板子会卡死。
我们的问题是：
1. 是否可以通过POM机制，让系统在跳转到异常向量表的时候，实际访问的是SRAM而不是片内Flash使得不会出现停止行为呢。
2. 在擦除/写入片内Flash时，无法同时读取/执行同一个Bank的内容，实现上是怎么检测到正在对同一个Bank同时进行擦/写与读取，然后CPU Stall的呢，具体的机制如何
Jialiang Ou：
补充一点，在执行Bank 0相关擦写/写入时，运行在Bank 1的软件映像上
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Gary Lu：
Jialiang Ou 说：1. 是否可以通过POM机制，让系统在跳转到异常向量表的时候，实际访问的是SRAM而不是片内Flash使得不会出现停止行为呢。
POM主要用监控和保护Flash存储器，而不是用于替换访问Flash内容
Jialiang Ou 说：2. 在擦除/写入片内Flash时，无法同时读取/执行同一个Bank的内容，实现上是怎么检测到正在对同一个Bank同时进行擦/写与读取，然后CPU Stall的呢，具体的机制如何
这涉及到芯片的内部工作原理和存储器管理，在硬件层面实现存储器保护和访问控制机制，确保对同一存储器区域的并发访问不会导致数据损坏或错误执行
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Gary Lu：
这样应该会导致并发访问和存储器保护
