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LM3481: 参考PMP20183设计文档,搭建高压电源,用于APD偏置电压,那如何才能进一步减小纹波呢?

Part Number:LM3481Other Parts Discussed in Thread:PMP20183, , LM2733

您好:

我们的需求是,搭建一个高压电源,输出电压约200V,负载电流10mA以内,纹波约5mVpp。

因为是用在APD偏置电源,所以它的纹波需要很小,否则噪声会很高。

我在TI官网上搜到了这个参考设计PMP20183,基本是符合需求的;但是,它的纹波比较高、有800mVpp了。

所以想请教下如何进一步降低纹波呢(同时效率也不想降低太多,担心发烫严重),输出再加一个LC吗?还是怎么样做呢?或者有什么参考资料可以推荐一下吗?

多谢~

纪烈臣:

我按照TI的<实现高效率、低功耗电源的低噪声和低纹波技术>,提到的这个方法,增加磁珠和电容,可以实现5mVpp纹波吗?

我在箭头处断开,增加一个磁珠和电容,是否可行呢?如果可行的话,那么磁珠和电容的选型有什么注意事项吗?

谢谢。

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纪烈臣:

还有个问题哈,这个芯片数据手册里面,一点也没有介绍如何去环路补偿。

请教下TI专家,有二型补偿的技术文档吗???

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Johnsin Tao:

Hi

   参考帖子: https://e2echina.ti.com/support/power-management/f/power-management-forum/77548/ti-100-200v-apd/297692#297692

   选用LM2733之类的升压芯片+chargepump既可以实现,如上你采用LM3481之类也是可以的,如果你需要纹波尽量小,建议在输出增加一级LC.

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纪烈臣:

好的,谢谢您!

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Johnsin Tao:

Hi

   不客气。

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纪烈臣:

hi,

还想请教您下,这种高压PCB的布局,是否需要考虑爬电距离啥的呢?

看到很多PCB,对于高压下面都会有镂空,间隙会比较大。

但是我在TIDCCU6 EVM上没有看到他做任何处理呢,高压走线距离GND铜层很近。

关于这个问题,您有啥建议呢。

谢谢~

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Johnsin Tao:

HI

   高压是要是间距,但是TI这边没有提供详细的文档来计算具体的间距。

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