Part Number:DRV8835
您好,请问这个漏电是在什么条件下测到的呢
Cherry Zhou:
您好,您的问题我们需要升级到英文论坛寻求帮助,有答复尽快给到您。
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Cherry Zhou:
您好,
datasheet中列出了部分测试条件:
剩下的测试条件我们需要确认后给您答复。
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Cherry Zhou:
您好,
系统这边的团队已确认,除数据表上列出的测试条件外,无法确定任何其他测试条件。
您是否有想要查找的特定条件或规格?
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??? ?:
您好,这个电流是上下功率管全部关闭测得的电流吗
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Cherry Zhou:
您好,
我们向工程师确认下,英文论坛的链接也给您贴在下面,您可以及时确认工程师的答复:
https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1249070/drv8835-leakage-condition
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Annie Liu:
是的,漏电流是在 MOSFET 处于 Hi-Z 状态时测量的。在此状态下,向 MOSFET 的漏极提供 5V 电压,然后测量流入引脚的电流。
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??? ?:
您好,我能认为Hi_Z状态下,MOSFET的漏极接范围内的任意电压,漏电流都是200nA以内吗,比如接0至5V之间的任意电压
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Annie Liu:
是的,只要 MOSFET 处于 Hi-Z 状态,范围内的任何电压都将允许测量高达 +-200 nA 的相应漏电流。
漏极和源极电压应该相同,本质上是漏极和源极“短路”。通过向漏极和源极施加最大允许电压 VM = 5 V,可以测量 200 nA 的最大漏电流。