TI中文支持网
TI专业的中文技术问题搜集分享网站

TLV9062: 如何对基于MOSFET的VI电流源进行稳定性仿真

Part Number:TLV9062

您好,我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例,但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果,TI Precision labs也看了,没有带MOSFET的例子。能否帮我搭建一下仿真模型,主要是添加小信号交流源到测试环路中,并列出Aol,1/Beta的计算公式,能得出正确的频率响应曲线。非常期待,并感激您的回复。

Amy Luo:

您好,

您可以附上您搭建的仿真电路文件吗?我直接在您搭建的电路基础上仿真

,

YAJUN WU:

CurrentSource1.TSCCurrentSource2.TSCCurrentSource1是文献sboa327中的示例,CurrentSource2是交流仿真电路,麻烦指导一下如何进行稳定性仿真,期待您的回复,谢谢

,

Amy Luo:

好的,我搭建一下,下周会给您反馈

,

Amy Luo:

我看了下您搭建的电路,运放的输出和负载间之接用电感隔开了,这样是不行的,如下视频链接中 Spice simulation 所讲,运放任何输出负载必须直接 保留在运算放大器输出端, 不应放置于 电感器的另一侧。仿真结果不同很可能是这个原因造成的,我会抽时间仿真一下的,后续反馈给您结果

https://www.ti.com/video/series/precision-labs/ti-precision-labs-op-amps.html#transcript-tab

,

YAJUN WU:

CurrentSource4.TSC非常感谢您的回复,我采用了新的电路仿真,还是得不到预期结果,期待您的帮助,谢谢!

,

Amy Luo:

我使用您的文件仿真,发现静态工作点不对,Vos应该在0.3mV左右,并且我进行AC仿真,会出现一个error

我使用双电源供电,Vos在299uV,这符合datasheet 典型值,但是这个error还是会出现。在使用您电脑上的TINA仿真时会出现这个error吗?

,

YAJUN WU:

CurrentSource5.TSCCurrentSource6.TSC附件5在正输入加了偏置,附件6是双电源供电,仿真结果相差很大。datasheet中该芯片不支持双电源供电。附件5的电路,仿真结果是稳定的,但是文献sboa327中的示例却还是加了Riso和双反馈。难道我的仿真方法有问题吗?Aol=VOA/VIN;Beta1=VOA/VFB;AolBeta=VFB/VIN,这是曲线的计算公式。之前报错是因为没有将以前的图表曲线删除。

,

Amy Luo:

我使用下面仿真文件,正输入端200mV偏置,仿真结果如下,与示例相似,但高频处与示例有些区别,不知道是哪里的原因,不知道是不是设置静态工作点的问题

YAJUN.TSC

,

YAJUN WU:

如我上面提到的,该电路在去掉Riso和双反馈电阻电容时,其相位裕度也有54度左右,是一个稳定的电路。那为什么还要增加这些多余的元件呢?您能替换一下贵公司的运放和MOSFET模型,再仿真一下吗?

,

Amy Luo:

YAJUN WU said:那为什么还要增加这些多余的元件呢?

应该是为了增加稳定裕度。

YAJUN WU said:您能替换一下贵公司的运放和MOSFET模型,再仿真一下吗?

仿真模型有什么问题吗?

SI2304DDS 不是TI的器件,我没有其仿真模型;

我在TI官网下载 TLV9062仿真模型,替换后看仿真结果区别不大。

赞(0)
未经允许不得转载:TI中文支持网 » TLV9062: 如何对基于MOSFET的VI电流源进行稳定性仿真
分享到: 更多 (0)