TI中文支持网Part Number:DRV8323R
有两个问题想咨询下：
1、我的硬件电路基本上与规格书推荐电路一致，区别点在于VM供电为15V，而VDRAIN供电为24V，此时上电后驱动器报上管VDS 过流保护，此时H桥上端输出为三角波，而下端输出与PWM波（OCP此时已设置为最大阈值），当把VM更改为24V后，上下管的G级均输出互补PWM，波形正常，不报VDS过流保护，想问下原因是什么，因为电压都是满足规格书要求的，电荷泵电压也正常，望解答
黄色为上管G级异常波形，绿色为下管G级波形
2、当固件写入CSA control寄存器时，报SA_OC、SB_OC、SC_OC过流，即使写入默认配置依然报过流错误，但当在写入寄存器前加1ms延时，就不会再报过流问题了，想问下寄存器的写入也有逻辑要求或时间要求吗？
Cherry Zhou：
您好，您的问题我们需要升级到英文论坛看下，有答复尽快给您。
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Cherry Zhou：
您好，
1）当 VM 为24V 时，它之所以起作用，是因为该模型要求 VM 和 VDRAIN 具有相同的电压。 尽管 DRV835x Split Supply Power Topology (ti.com)是适用于835x，但将 VM 和 VDRAIN 连接到相同电压的相同概念适用。
2）DRV832x 6 to 60-V Three-Phase Smart Gate Driver datasheet (Rev. D) (ti.com) 的第18页提供了一些基本 SPI 时间规格。 您这里的1ms 延迟似乎与 tREADY 保持一致，这是启用后 SPI 准备就绪所需的时间。
