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ISOW7721: 关于芯片内置电源转换器接地的问题

Part Number:ISOW7721

工程师您好,

在阅读ISOW7721中文规格书时,对规格书中的图10-2有疑问:

该芯片内置隔离电源转换器,并通过内部变压器将GND1隔离为GND2,如果实际应用时,GND2侧有高共模干扰,是否就直接将芯片打坏了?

我认为GND1与GND2之间需要跨接一个pF级的高耐压电容(例如安规电容),这样在正常情况下,既可以做到隔离,又可以泻放共模干扰。

对于类似的隔离器件遭遇高共模干扰的场景,TI官方有没有什么推荐处理方案?

感谢。

Kailyn Chen:

您好,GND1和GND2之间加电容器确实有助于进一步降低辐射,但它可能需要较大的 PCB 空间来实现合理的电容。 并且它会受到高泄漏/引线电感的影响,这有可能会降低电容器的效率,而不会显著改善辐射。有些器件可以加common choke来抑制共模干扰,但 ISOW7721是带隔离电源转换器的最新器件,并且在大多数应用中满足 CISPR 32 B 类要求,都不需要加common choke,大多数应用按照数据手册中加上ferrite bead提高性能,所以不推荐在GND1和GND2之间加上电容。

另外,参考这篇以7741(和7721相似都是集成了隔离电源转换器的隔离器件)为例,介绍如何满足 CISPR 32 Radiated Emissions Limits要求的应用手册:

https://www.ti.com/lit/an/slla561/slla561.pdf

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