TI中文支持网我用20M的晶振 倍频到80M的速度，外设用了ADC（2000HZ/S采样），开了3个定时器、ECAP1，EPWM1，3.3V供电 功耗80多毫安？ 怎么会这么大功耗？能否降到30毫安左右？ 查了数据手册，貌似不需要这么大的功耗！
Forrest：
简单地说，TI给的耗电数据是针对28069这一个芯片而言，您的测量数据一方面我对测量方法存疑，另一方面数据里面估计还包括其他的设备耗电，比如晶振，外部的一些走线。
这个实验我做过简单测试，用最简电路周边只有几个电容，用万用表测量输入的电流，芯片在IDLE状态，和TI文档提到的值基本一样，我的测试结果比TI文档多了几毫安，估计是外部的PCB走线外部电容会有一定的耗电。
我用20M的晶振 倍频到80M的速度，外设用了ADC（2000HZ/S采样），开了3个定时器、ECAP1，EPWM1，3.3V供电 功耗80多毫安？ 怎么会这么大功耗？能否降到30毫安左右？ 查了数据手册，貌似不需要这么大的功耗！
Forrest：
回复 10#:
楼主，10#的回答已经可以作为lower power的经典回答了。
我再灌些水，
1、如果楼主的程序不大，楼主可以在上电后把程序copy到RAM，都在RAM中运行然后关闭FLASH，这样可以节约十几mA的电流
2、楼主可以降低芯片的频率；适当降低VDDIO电压以减少功耗；不用片上的VREG，用外部的。
