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TXS02612: TXS02612 的IO 电平异常的问题

Part Number:TXS02612

TXS02612 的VCCB1 port  接到SD Card, 测试过程中发现IO 电压无法达到3.3v,如下图,如何解决这个问题。

PS: VCCB port 到SD CARD 负载之间的SDIO 6根走线都很短。

Jennifer hou:

以下是我测试的一些结论:

1, 在SDIO 的频率降到3M 以下的时候,IO 电平可以达到3.3v, 超过3M 就不行了。

2, 从波形看起来,信号在缓慢上升,上升时间大概是200-300ns,这个时间不随频率的改变而改变。按照200ns-300ns计算,3M 以下的频率是可以爬到3.3v的,看起来这个芯片内部有很大的负载(寄生电容应该很少,因为走线很短很短)

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Amy Luo:

您好,

1、每个通道都是这种现象吗?在都是1.8V电平时,如下截图所示Command信号在OD接口驱动时,所支持的最大频率是2MHZ

2、SD CARD接口的输入电容是多少?上述 TXS02612支持的速率是在15pF容性负载条件下测得的,如果电容负载大于15pF,那么支持的数据速率会更低:

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Jennifer hou:

Many thanks for your reply and support. 

1, 每个通道都是这样的现象。 A port 的电压是1.8v,B port的电压是3.3v。 command和data 可以肯定是push pull 的,不是OD。

2,  SD card 的接口的输入电容不能准确确定,这取决与卡的类型,但是我认为是符合SD card 的规范。从波形来看:

a) rise time 不随频率的变化,在10M和2M下,测到的上升时间都是200ns左右,这也是在2M下,电压可以达到3.3v的原因。

b) 把波形展开,波形刚开始往上冲,然后跌落,上冲是因为这颗芯片内部的speed加速模块,跌落的原因是内部有很大的负载,芯片的驱动能力不够?

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Amy Luo:

Jennifer hou 说:a) rise time 不随频率的变化,在10M和2M下,测到的上升时间都是200ns左右,这也是在2M下,电压可以达到3.3v的原因。

是的,上升时间与频率无关,它与线上的R和C参数相关;看SD卡端有上拉电阻,您可以去掉上拉电阻再测试看输出波形吗?

绿色是什么信号?是SD_CLK信号吗?看着没有RC充电迹象 且SD_CLK没有上拉电阻

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Jennifer hou:

谢谢你的回复!不好意思,我上周休了病假,回复有点晚了。

SD卡端的上拉电阻没接。从波形来看,电平先冲上去,再跌落,最后是RC充电,因为电容很小,所以我怀疑芯片内部是不是有很大的电阻? 

绿色的是clock 波形。

也不是我一个人碰到这种问题,我看到论坛上很多人都有提到这种类似的问题,这颗芯片是不是有什么地方很敏感? 

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Amy Luo:

Jennifer hou 说:从波形来看,电平先冲上去,再跌落,最后是RC充电,因为电容很小,所以我怀疑芯片内部是不是有很大的电阻?

对于data 和 Command 接口,内部有上拉电阻,如下datasheet截图描述:

Jennifer hou 说:绿色的是clock 波形。

看您的Clock波形没有RC充电迹象,同时clock信号线内部没有上拉电阻,因此很可能是其他信号线上容性负载太大的缘故。我说的信号线上的容性负载包括走线寄生电容、信号接收设备的输入电容,如果有中间有连接器的话,连接器也会引入电容负载。

clock信号线过冲有点明显,建议您串联22Ω或33Ω以减少过冲。

Jennifer hou 说:我看到论坛上很多人都有提到这种类似的问题,这颗芯片是不是有什么地方很敏感? 

要说比较敏感的地方也就容性负载这方面,它会影响支持的数据速率和波形的质量。同时TXS 几乎没有驱动能力。

另外,黄色信号对应的输入信号波形是什么样子的?

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