TPS1H100-Q1: 保护电路疑问

我们目前设计上采用了TPS1H100-Q1，有以下几个疑问

1. 根据手册，电源反接时会产生反向电流Irev1，它的典型值是4A，这里的4A指的是两条回路加起来4A还是单独Power mosfet是4A？

2. 根据手册，Vds clamp的定义是VBAT-VOUT，即D和S之间的的压差，但钳位管横跨在D和G之间。当断开感性负载，S端产设负压，此时依靠DG之间的钳位二极管如何钳位住DS之间的电压？

3. 断开感性负载时，‘the power FET is turned on for inductance-energy dissipation’，这句话如何理解？mosfet turned on之后，感性负又会进行充电储能，原来的能量怎么释放呢？

Johnsin Tao：

Hi

   1.  应该是总电流，figure7 对应的MOS 反向电流。

   2. 这里是Switching-Off 钳位，因为电感端产生负压，芯片检测到就会关掉MOS.  或者你可以从图33来理解这个钳位，中间一个图。

   3. 这里并不是负载断开，而是相当于负载短路，否者就不会出现MOS输出端为负压，这个时间段MOS仍然开启，所以仍处于通路，在这个过程电感能量释放，你可以通过图33第三个图来理解。

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wang wan：

针对第三条，”相当于负载短路“这句话不是很理解，负载短路应该是接近GNDV才对，为什么会产生负压？且短路后IOUT应该上升才对。Figure 33 上显示的是IN为从高到低，即断开感性负载（这里的断开不是将负载和HSD之间的导线断开，而是mosfet截止，不再给负载供电）会在VOUT产生负压。

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Johnsin Tao：

HI

    我这样说不准确，因为电感一端接负载，相当于接GND,  而靠近芯片这段，电感电压为负。